東芝通過硅穿孔技術來提升3D NAND效率

TSV 是指垂直通過硅晶元的電氣連接，東芝稱這種製造方法有助於提升能源效率和帶寬。與當前基於鍵合（wire-bonding）技術的快閃記憶體晶元相比，TSV BiCS 快閃記憶體晶元可帶來兩倍能效。

它將堆疊的核心引腳連接了起來，儘管增加了一定的製造複雜度和成本，但最終價格還是可以比其它形式的 NAND 要便宜一些。目前 TSV 人多用於堆棧式 DRAM，比如 AMD 在 Fuji 和 Vega 高端桌面級顯卡上所採用的 HBM 快閃記憶體。

東芝初期將提供 512GB 和 1TB 容量、以及 1066 Mbps 的 TSV NAND 產品，大小為 14×18 mm 。八層 512GB 晶元的厚度為 1.35 mm，而 16 層 1TB 的晶元厚度為 1.85 mm 。

該公司稱，它已於上月向製造合作夥伴出貨基於 TSV 技術的 BiCS 3D TLC 快閃記憶體晶元，預計樣品可在年底前出貨。此外東芝也將於 8 月第二周在聖克拉拉舉辦的「2017 快閃記憶體峰會上」展示相關原型。