據中證資訊報道,根據IC Insights的預計,2017年內存(DRAM)價格漲幅將達到39%,快閃記憶體(Flash)漲幅也有望達到25%。這是由於需求增長和供給收縮。一方面,國產品牌手機出貨量持續增長;另一方面,以三星、海力士為代表的企業正投入一場存儲器創新競賽,將二維快閃記憶體(2D NAND Flash)轉移至三維快閃記憶體(3D NAND Flash)的技術革命,這導致產能增長放緩。關注朗科科技、深科技等。
需求增長疊加供給收縮 今年以來內存價格大幅上漲
2021/12/25
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