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讓華為深陷「門」事件的兩大"元兇"到底是什麼?

華為最近口碑,用一落千丈來形容都不為過。

這彷彿讓人會想到曾經小米也有過的相似經歷。

要說最近使得華為深陷負面新聞的最初原因,那就是「快閃記憶體門」了。

P10手機混用UFS快閃記憶體和eMMC快閃記憶體,是拉開一切的序幕。

華為官方解釋不同的快閃記憶體對P10手機的用戶體驗不會產生太大的影響,但大家並不認同和接受,那麼這兩個快閃記憶體都是什麼,有什麼區別呢?

emmc相對於傳統意義上的快閃記憶體有所不同,傳統的快閃記憶體是不集成主控的,emmc是集成了主控,同時使用標準的介面,標準的協議進行通訊和控制。簡化了手機廠商的研發過程。你可以把他想像成晶元化的SSD

ufs同樣是整合有主控晶元的快閃記憶體,一種標準化介面,標準化通訊和控制協議的存儲晶元。不過其使用的是PC平台上常見的SCSI結構模型並支持對應的SCSI指令集 。

ufs和emmc的主要區別還是在還是在傳輸上,簡單來說就是ufs快閃記憶體傳輸的速度會更快。

emmc內的存儲器和主控之間有8條通道進行數據傳輸,但是這八條通道都是半雙工的模式,簡單點說就是每條通道每次,只能在讀取和寫入之間選一個。是一個單選題。

UFS內的存儲器和主控之間只有兩條通道,數量看上去少,但是帶寬更高,同時是全雙工模式,每條通道每次都可以執行讀取和寫入操作。是一個雙選題。

正因為eMMC快閃記憶體與UFS快閃記憶體在內部結構上存在著本質上的區別,這讓兩者的理論帶寬產生了極大的差異。

比如現在eMMC 5.0/5.1標準理論帶寬分別為400Mb/s和600Mb/s。UFS 2.0,其單通道單向的理論帶寬就可以達到1.45Gbps的水平,雙通道雙向的理論帶寬就是5.8Gbps。而 UFS2.1更是相比於2.0帶寬翻倍,eMMC快閃記憶體徹底望塵莫及了。

理論帶寬,畢竟是理論的東西。根據現有產品的測試。UFS 2.0快閃記憶體的連續讀寫速度為350MB/s和150MB/s,而eMMC 5.1快閃記憶體的連續讀寫速度則為250MB/s和125MB/s,比起UFS2.0快閃記憶體確實要遜色一些。

UFS不僅在連續讀寫上優於emmc在,隨機讀寫更是優於emmc。UFS 2.0快閃記憶體的隨機讀取性能可以輕鬆達到19000 IOPS的水平,而eMMC 5.1快閃記憶體只能達到11000 IOPS,前者的領先幅度超過了70%。

這些都是實打實的差異,而且基於硬體,華為應該更清楚,這些差異不是說軟體系統的優化就可以輕易抵消的。

所以這些在華為冬粉心中,「沒有差異」就成了託詞和借口,無法接受。

不知道未來華為對此事的應對措施會有什麼改變,但P10敗局似乎已挽回艱難。



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