中國半導體工藝技術任重道遠：目前才搞定28nm量產

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IBM昨天聯合三星、Globalfoundries宣布了全球首個5nm半導體工藝，性能提升40%，功耗降低75%。IBM這則消息就是在VLSI大規模集成電路會議上宣布的，這也是國際級的半導體會議。這次會議也暴露了我們在半導體製造技術依然沒有什麼存在感，雖然總計提交了18篇論文，但入選的只有1篇，僅佔全部入選論文的1/64，遠遠低於美國、日本、歐洲、韓國、新加坡及台灣地區。

2017年的VLSI國際會議是在日本東京舉行的，昨天正式開幕，會期8天，全球領先的半導體技術公司、科研機構匯聚一堂討論未來技術的發展。日本PCWatch網站報道了一些有關大會論文的數據，提交及入選的論文一定程度上可以代表這個公司及所在國在該行業的地位。

這次大會收到了16個國家和地區的160篇論文投稿，包括印度、沙烏地、阿聯酋等國家，其中美國有36篇，位居第一，歐洲區有34篇，不過這並不算一個國家，台灣地區有26件，和韓國各有18篇論文申請，這麼看的話大陸的論文申請數據還是挺多的，至少說明了國內參與的願望還是挺強烈的，日本也才16篇，在亞洲位居第四。

160篇論文中有64篇最終被大會採納，其中美國有15篇，日本有10篇，韓國和台灣地區各有8篇入選。對來說，提交的18篇論文中只有1篇被採納，只佔全部論文中的1/64。

綜觀十年來的統計結果，被採納的論文數量一直不多，2014年最多也就是3篇，2015年沒有，2016年也是1篇。雖然說被採納的論文跟這個國家或者地區的半導體技術實力不能絕對掛鉤，但被採納的論文越多，總體上依然能證明這個國家/地區的實力的，入圍較多的美國、歐洲、韓國、韓國都是半導體製造工藝先進的國家和地區。

具體來看，這次入圍的64篇論文中，IMEC（比利時微電子中心）有7篇論文入選，藍色巨人IBM有6篇論文入選，三星也有6篇，Globalfoundries是5篇，法國CEA-LETI學院是4篇，TSMC也有3篇，其他入圍的也是一些科研機構或者學校，包括台灣交通大學、日本東京大學、新加坡國家科學院、美國普渡大學、聖母大學等等。

第一天的日程中，這些全球頂尖的半導體公司、學院討論的都是未來的5nm工藝、Ge、III-V金屬材料、10nm、2.5D/3D封裝、晶元內緩存等技術，無一不是探討有可能改變未來半導體工藝發展的新技術、新材料。

目前國內在半導體工藝上發展最先進的還是28nm，其中高性能的28nm HKMG工藝也只才剛開始，比三星、Intel、TSMC要落後兩三代。前年在比利時國王訪華時，國內的中芯國際、華為與高通、SEMI簽署了合作協議，在IMEC的幫助下開發14nm FinFET工藝，預計在2020年前量產。

考慮到我們在半導體工藝上落後這麼多年了，想很快追上是不可能的，好在國家現在也重視起半導體產業了，核高基等項目已經作出了部署，前幾天核高基項目負責人還表示取得了重大突破，14nm工藝將在明年量產，未來還會支持7nm、5nm工藝研發，希望這些表態不是放衛星。

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