東芝存儲器公司宣布推出96層3D快閃記憶體

東芝存儲器公司今日宣布，公司已開發出採用堆疊式結構[1]的96層BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體的原型樣品，該產品採用三位元（三階存儲單元，TLC）技術。該96層新產品為256千兆比特(32GB)設備，其樣品預計將於2017年下半年發布，批量生產計劃於2018年啟動。

該新設備滿足企業級和消費級SSD、智能手機、平板電腦和存儲卡等應用的市場需求和性能規範。

未來，東芝存儲器公司將在不久的將來在其512千兆比特(64GB)等較大容量產品中應用其新的96層工藝技術和4位元（四階存儲單元，QLC）技術。

創新的96層層疊工藝結合了先進的電路和製造工藝技術，與64層層疊工藝相比，其每單元晶元尺寸存儲容量增加約40%。該工藝降低了位存儲價格並提高了每個硅晶片內存容量的可製造性。

自2007年宣布推出全球首款[2]3D快閃記憶體技術原型機以來，東芝存儲器公司不斷推動3D快閃記憶體的發展並積極推廣BiCS FLASH™技術，以滿足市場對更小裸晶元體積、更大容量快閃記憶體的需求。

該96層BiCS FLASH™將在四日市生產基地5號晶圓廠(Fab 5)、2號新晶圓廠(Fab 2)和將於2018夏季開業的6號晶圓廠(Fab 6)生產。

註：

1.一種在硅基板上垂直堆疊快閃記憶體存儲單元的結構，相比平面NAND快閃記憶體（存儲單元位於硅基板上），其極大地提高了密度。

2.數據來源：東芝存儲器公司，截至2007年6月12日。

* 本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱均為其各自公司的商標。

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