三星靠存儲晶元漲價越活越滋潤 中國廠商如何破局

從去年下半年開始，固態硬碟、內存條、以及快閃記憶體卡等存儲產品的價格就緩步增長，而在三星Note7接連自燃事件之後，固態硬碟、內存條的價格更是堪稱瘋漲。在去年第四季度，動態隨機存取記憶體（DRAM）現貨價持續攀高，DDR4 4Gb存儲晶元最近的現貨均價已達3.347美元，漲幅達18%，創18個月來新高。鎂光公司的NAND Flash 64GB MLC 顆粒漲幅超過25％。在京東商城上內存的價格相對於去年年中也普遍上漲了三分之一。

而存儲晶元價格之所以持續攀升，除了國外大廠因為技術升級出現意外導致產能吃緊之外，存儲晶元基本依賴進口也是存儲晶元大幅漲價的原因。

存儲晶元市場被少數國際大廠壟斷

存儲晶元中比較常見的是NAND Flash和DRAM。NAND Flash快閃記憶體是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據，比如手機上16G/32G/64G的快閃記憶體和電腦上的固態硬碟用的就是NAND Flash。DRAM是動態隨機存取存儲器，只能將數據保持很短的時間，而且關機就會丟失數據，電腦上4G/8G/16G內存採用的就是DRAM。

目前，NAND Flash市場被三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與鎂光為首的ONFI陣營把持，三星、東芝、閃迪、鎂光、SK海力士等國外巨頭佔據80%以上的市場份額，其中三星是領頭羊，市場份額約38%。

而在DRAM市場，三星、SK海力士、鎂光佔據了主要市場份額。在2016年第四季度，三星的市場佔有率達47.5%，SK海力士的市場份額為27.3%，鎂光的市場份額為19.4%。相比之下，市場份額排名4-6的台系廠商的市場份額就比較有限了，南亞科的市場份額為3.1%，邦華電子和力晶科技的市場份額分別為1.3%和0.8%。

可以看出存儲晶元供應商被牢牢把持在少數幾家廠商手中，而且有著贏者通吃的現象，這對處於市場份額佔據優勢地位的國際大廠非常有利，對於追趕者來說就很不利了。

技術升級和新產品瑕疵等因素助推價格持續上漲

在存儲晶元市場被國外壟斷的情況下，最大的影響就是相關產品上價格波動大，以京東商城上的內存條價格為例，在去年年中DDR4-2400 8GB的內存價格在300左右，但如今不少品牌的DDR4-2400 8GB的內存價格已經超過400元，像金士頓的 Fury系列DDR4-2400 8GB內存價格為479，而Savage系列 DDR4 2400 8G 內存價格為549。金士頓的DDR4-2400 16GB*2套裝內存的價格更是高達1899元。雖然也有一些品牌的標價要便宜一點，但在京東自營店中都顯示為缺貨。

不僅京東上的內存條價格高昂，即便是某些電子產品大國的內存價格也在漲。根據日本媒體報道，在3月25日，日本秋葉原地區DDR4-2400 16GB*2套裝內存的最低價格為25704日元（約合1600元人民幣），而基本上多數店家的報價都在28000-29000日元之間，相當於去年夏天時的兩倍。DDR4-2400 4GB*2套裝內存的價格也在過去的一個月中創造了最高漲幅，平均價格升到了7234日元（約合450元人民幣），漲幅達到了15%。

而造成這一情況的原因很大程度上是因為三星、鎂光等國際大廠在升級技術後生產的新產品出現瑕疵而不得不召回。

據媒體報道，在三星和鎂光將DRAM的製程升級到10+nm之後，三星的18nm DRAM和鎂光的17nm DRAM都出現了瑕疵。根據PC整機廠的測試，三星的18nm DRAM裝機後會導致系統出錯及出現藍屏當機情況，業界估算三星為此不得不回總數達10萬條DRAM模組。但即便召回之後，重新出貨的產品依然存在瑕疵，並導致PC整機廠的不良率攀升。

鎂光在將25nm升級到17nm之後，也出現與三星類似情況的良率問題——鎂光的17nm DRAM由於設計及製程上均與25nm DRAM有較大差異，目前的良率連一半都很難達到，為此鎂光還要求客戶暫停所有認證程序。

而三星和鎂光恰恰是DRAM的主要供應商，而其產品存在瑕疵加劇了供應鏈吃緊情況，像南亞科今年前三季產能已被預訂一空……在這種情形下，2017年內存條繼續漲價已然是定局。

三星成為存儲晶元上漲的大贏家

在去年，雖然三星因為Note7接連自燃事件蒙受了巨大損失，但在去年年底存儲晶元和屏幕等零件大幅漲價的情況下，三星反而大賺了一筆。

由於之前三星評估手機市場處於飽和狀態，而消費級PC市場對NAND Flash需求也並不大，再三權衡之後三星選擇了停止擴建計劃，而與此同時，三星、蘋果、步步高、華為、小米等幾大手機廠商都在搶NAND Flash產能，進而導致供應鏈非常緊張，NAND Flash價格瘋漲也就水到渠成。為此，以性價比著稱的小米手機還不得不發布公告，表示因元器件價格上漲，不得不將紅米4和紅米4A價格提升100元。

在NAND Flash和DRAM價格持續增長的大背景下，三星獲利頗豐。據研究機構DRAMeXchange的研究顯示，2016年第四季全球DRAM總體營收大幅增長約18.2%，考慮到三星在去年四季度DRAM市場高達47.5%的市場佔有率，稱三星為DRAM漲價的最大贏家也不為過。

在2016年第四季度，即便因Note 7事件導致三星遭受了巨額損失，帶來超過60億美元的損失，但三星卻越活越滋潤。

（三星柔性顯示屏）

根據三星發布的2016年第四季度初步財報顯示：受存儲晶元價格上漲和OLED顯示屏出貨量的增長推動，2016年四季度三星電子運營利潤78億美元，同比增長50%，創三年新高。韓國券商HMC Investment Securities分析師格雷格·羅表示：「三星電子第四季度的業績讓市場感到驚訝……存儲晶元和OLED業務當然是最大的功臣。」

之前就有媒體報道，去年年底的存儲晶元大幅漲價，是三星為了填補Note7接連自燃以及隨後的召回事件造成的巨額經濟損失，而首先挑起的。雖然這種說法真實與否有待驗證，但從客觀事實上看，去年4季度的存儲晶元等元器件大漲價不僅使三星沒有因為Note7事件傷筋動骨，反而日子過得還挺好。

跨國併購國外存儲大廠難度很大

一直以來，西方國家在高科技上對嚴防死守，即便是存儲晶元這種技術含量並不算太高的業務，國外政府也對嚴格限制。紫光曾經試圖收購鎂光和曾經試圖通過收購西數進而收購閃迪的做法都最終夭折。

而最近東芝出售儲存業務也對買家差別對待。根據日本朝日新聞報道，日本政府開始研議，如果是售給或台灣的企業，將根據外匯及外國貿易法勸告東芝中止或重新考慮。外匯及外國貿易法是海外企業或投資人要收購日本半導體等業務時，有義務事前接受政府的審查。審查的結果，日本政府若認為有損「國家的安全」或「公共秩序」，可勸告賣方變更交易或中止交易，併發出強制令。

日本政府認為，東芝將出售的NAND 型快快閃記憶體儲也被用於日本的企業、政府機關的資料中心，如果被破壞，很可能造成機密外泄，因此日本經產省將慎重審查。

但其實上，只要用於製造固態硬碟的NAND Flash本身是質量過硬的，那就幾乎不存在安全風險，相比之下，固態硬碟採用的主控晶元是否存在後門才是有可能機密資料泄密的罪魁禍首。因此，日本以國家的安全為名禁止東芝將存儲晶元業務出售給或台灣的企業，其實是站不住腳的，日本政府此舉，背後政治因素的成分更大——比如日本政府的經產省官員就曾表示，東芝公司可以賣給蘋果這樣的美國公司，但公司是不行的。日本經濟同友會代表幹事、東芝社外董事小林喜光就表示，西部數據等美國企業將是東芝半導體的合適買家。

（小林光喜，左一）

投入巨資發展的存儲產業

因此，想通過跨國併購獲得先進技術的難度顯然是比較大的，從境外挖人才投入巨資發展本國存儲產業才是當下最合適的選擇。

日前，紫光集團和國家開發銀行、華芯投資管理有限責任公司分別簽署了《「十三五」開發性金融合作協議》和《戰略合作協議》。這項協議的內容顯示，在「十三五」期間，國家開發銀行將為紫光集團提供各類金融產品及服務，意向支持紫光集團融資總量1000億元；作為國家集成電路產業投資基金唯一管理機構，華芯投資擬對紫光集團意向投資不超過500億元人民幣，重點支持紫光集團發展集成電路相關業務板塊。

國家開發銀行北京分行行長 徐明（左） 紫光集團董事長 趙偉國（右）

這是繼2015年國家集成電路產業投資基金以股權投資方式給予紫光集團總金額不超過100億元人民幣支持，國家開發銀行與紫光集團在各類金融產品上的意向合作融資200億元之後，紫光集團又一次獲得天量融資。

眾所周知，紫光集團在南京和武漢分別擲出千億級投資建設了存儲工廠，而本次紫光從國家開發銀行、華芯投資管理有限責任公司獲得的1500億融資，很可能就是為了幫助紫光解決部分存儲晶元工廠的資金問題。

根據境外媒體報道，在人才方面，台灣的半導體人才已然成為大陸獵頭瞄準的對象。由於鎂光接手華亞科之後，人事和薪資上的調整，使得華亞科內部人心不穩。加上大陸的高薪聘請（據媒體報道是台灣的薪水乘以2或者乘以3 ），已經有上百位華亞科工程師集體跳槽紫光集團所屬的長江存儲和安徽合肥的存儲工廠。在不久前，還有離職的華亞科前員工攜帶資料去的某存儲公司，回台灣后立即遭到調查局搜索的傳聞。

不過，上述消息只是海峽對岸的傳聞，紫光集團副總裁葉銘表示，挖人不是事實，對紫光集團旗下的長江存儲在台灣挖人的內容完全否認。長江存儲也否認在台搶人。

雖然大陸存儲廠商是否在台搶人目前來看還是一個羅生門，但國家投資，海外挖人的總體思路是對的。在可行性上，比某奉行「貿工技」的大公司總是花大價錢從海外收購一些冷炙殘羹要強得多。筆者也期待，存儲產業能像面板產業那樣在國家意志下茁壯成長，擺脫國外廠商的壟斷和掣肘。