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三星目前在旗下高階手機產品均開始導入存取更快的UFS 2.0快閃記憶體模組外，似乎也計畫進一步使其容量擴大，在稍早釋出消息中確認將開始量產容量高達256GB的UFS 2.0模組，預期讓手機能有更快資料讀寫效能外，更確保儲存容量可以更大。 三星宣布將開始量產容量高達256GB的UFS 2.0快閃記憶體模組，預期將使手機等裝置的儲存容量更為充足，同時在資料讀寫也因為UFS 2.0特性而能以更快速度執行。 藉由三星目前V-NAND技術加持下，目前UFS 2.0讀取速度已經可達850MB/s，相比PC常見的SSD有更快存取效能，當然也比市面銷售的micro SD記憶卡更快。而就現有UFS 2.0佔用體積更小情況下，將可應用在各類輕薄機種，同時確保手機儲存容量充足。 不過，容量雖然可達256GB，但意味實際價格成本也會相對提升，短時間要能全面讓手機產品不再使用外接記憶卡設計，可能還是需要一些時間。 ※相關連結》 Samsung Introduces Industry’s First 256-Gigabyte Universal Flash Storage, for High-end Mobile Devices (三星官方新聞稿)