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2017-07-25T20:27:27+00:00
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SAMSUNG 開始量產業界最快的旗艦級智慧型手機儲存晶片
新型512GB eUFS 3.1不需緩衝 可極速儲存8K影片和大尺寸影像檔案
三星嵌入式儲存記憶體陣容
SAMSUNG Galaxy A51規格表
SAMSUNG 開始量產業界最快的旗艦級智慧型手機儲存晶片
新型512GB eUFS 3.1不需緩衝 可極速儲存8K影片和大尺寸影像檔案
全球先進記憶體技術領導品牌三星電子,宣布開始量產業界首款用於旗艦級智慧手機512 GB 嵌入式通用快閃記憶體(embedded Universal Flash Storage)eUFS3.1,其寫入速度較上一代512GB eUFS 3.0行動儲存晶片快三倍,突破智慧型手機儲存晶片1GB/s的性能極限。
三星512GB eUFS 3.1的循序寫入速度超過1,200MB/s,較SATA桌上型電腦 (540MB/s)快兩倍以上,更較UHS-I microSD卡(90MB/s)快十倍以上。這表示當消費者將大量的檔案,例如8K影片或數百張的大尺寸照片,存入智慧型手機時,能享受媲美超薄筆電的儲存速度而不需緩衝。此外,將舊手機內容傳輸至新裝置時,傳輸時間亦大幅縮減。搭載最新eUFS 3.1的手機,只需1.5分鐘,即可移動100GB的數據;而搭載UFS 3.0的手機,則至少需要4分鐘以上。
在隨機讀取方面,512GB eUFS 3.1的處理速度,較目前廣泛使用的UFS 3.0版本提升60%,每秒讀取速度最高可達100,000 IOPS,寫入速度則可達到70,000 IOPS。
除了512GB容量,三星亦將為旗艦級智慧型手機推出256GB和128GB容量版本。
自3月開始,三星已投入第五代V-NAND的量產,以充份滿足旗艦級和高階智慧型手機市場的記憶體需求。三星計劃在不久的未來,將韓國平澤生產線的第五代V-NAND量產遷移至第六代,為日益成長的需求帶來更佳的解決方案。
三星嵌入式儲存記憶體陣容
記憶體
循序讀取速度(Sequential Read)
循序寫入速度(Sequential Write)
隨機讀取速度(Random Read)
隨機寫入速度(Random Write)
512GB eUFS 3.1
2100MB/s
1200MB/s
100,000 IOPS
70,000 IOPS
(2020年3月)
(提升3倍)
(提升1.6倍)
(提升1.03倍)
512GB eUFS 3.0
2100MB/s
410MB/s
63,000 IOPS
68,000 IOPS
(2019年2月)
1TB eUFS 2.1
1000MB/s
260MB/s
58,000 IOPS
50,000 IOPS
(2019年1月)
512GB eUFS 2.1
860MB/s
255MB/s
42,000 IOPS
40,000 IOPS
(2017年11月)
Automotive UFS 2.1
850MB/s
150MB/s
45,000 IOPS
32,000 IOPS
(2017年9月)
256GB UFS Card
530MB/s
170MB/s
40,000 IOPS
35,000 IOPS
(2016年7月)
256GB eUFS 2.0
850MB/s
260MB/s
45,000 IOPS
40,000 IOPS
(2016年2月)
128GB eUFS 2.0
350MB/s
150MB/s
19,000 IOPS
14,000 IOPS
(2015年1月)
eMMC 5.1
250MB/s
125MB/s
11,000 IOPS
13,000 IOPS
eMMC 5.0
250MB/s
90MB/s
7,000 IOPS
13,000 IOPS
eMMC 4.5
140MB/s
50MB/s
7,000 IOPS
2,000 IOPS
原文連結
台灣三星官方網站連結
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SAMSUNG Galaxy A51規格表
型號
Galaxy A51
系統
Android
螢幕
6.5吋 FHD 20:9
螢幕技術
Super AMOLED
解析度
2400×1080
處理器
Exynos 八核心處理器
RAM
6GB
ROM
128GB
主鏡頭
4800萬 F2.0
500萬 F2.2 景深
500萬 F2.4 微距
1200萬 F2.2 123度超廣角
自拍鏡頭
3200萬 F2.2
雙卡雙待
4G+4G
記憶卡
512GB
藍牙技術
BT 5.0
生物識別
指紋辨識
臉部辨識
電量
4,000mAh
快充技術
15W 快充
無線充電
No
NFC
Yes
特色
獨立三卡槽
尺寸
158.5×73.6×7.9mm
重量
172公克
顏色
晶礦白
晶礦黑
晶礦藍
(台灣) 上市時間
1月6日
定價
NT$12,990
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