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「我們很多客戶，作車用的、（消費性電子）快充用的，都逼得很兇。」中美矽晶董事長徐秀蘭口中強烈的市場需求，說的是當前半導體市場熱烈討論的GaN（氮化鎵）。為了加速GaN的產品開發，8月6日中美晶宣布參與宏捷科私募計畫，要攜手宏捷科進行GaN的開發。 宏捷科此次將發行普通股4500萬股，總募資金額為34.965億元。中美晶參與此次私募後，持股將擴大到22.53%，成為宏捷科最大股東。徐秀蘭進一步表示，未來仍會找適當時機，將對宏捷科的持股比例擴大到50%左右。   雙方的合作，將會在兩個方面。首先，宏捷科取得資金後，將能添購設備擴充產線，藉此加速GaN產品的產能。此外，藉由中美晶子公司環球晶開發中的SiC（碳化矽）基板，未來供應給宏捷科後，就能解決SiC基板難以取得，導致GaN無法順利量產的瓶頸。   「今年中美晶對化合物（半導體）非常積極。」徐秀蘭指出，感受到來自客戶的強烈需求，特別是歐洲方面的汽車產業。也因此，環球晶7月27日先是宣布了與交通大學合作，成立化合物半導體研究中心，開發GaN與SiC相關化合物晶元的製造技術。   合作的目的，是要加速完成SiC基板自主開發生產的目標。「現在的問題，是SiC基板難以取得。」宏捷科技總經理黃國鈞解釋，當前全球SiC基板供應，集中在美國Cree手上，但Cree不願意單獨賣SiC基板。對宏捷科而言，即便GaN的製程有近8成與GaAs（氮化鎵）相同，但少了SiC基板，就無法順利進行生產。