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2017-07-25T20:27:27+00:00
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DRAM是動態隨機存儲器的意思,也就是電腦內存。對於今天的消費者來說,電腦內存只是些綠色的小條條,售價不過幾百元。然而這些小玩意,卻走過了長達120年的複雜演進歷史。從百年前的穿孔紙卡、磁鼓、磁芯到半導體晶體管DRAM內存。人們已經很難想象,一個電冰箱大小的計算機存儲器,只能存儲幾K數據,售價卻高達幾萬美元。在市場,1994年的時候,一根4M內存售價1400元,相當於兩個月工資。1999年台灣921大地震,在北京中關村,一根64M SDRAM內存條,價格可以在幾天內,從500元暴漲到1600元。 自1970年,美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來,已經過去47年。DRAM內存晶元市場,累計創造了超過1萬億美元產值($1000,000,000,000美元)。企業間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國、日本、德國、韓國、台灣的選手,懷揣巨額籌碼,高高興興地走進來,卻在輸光光之後黯然離場。無數名震世界的產業巨頭轟然倒地。就連開創DRAM產業的三大元老——英特爾、德州儀器和IBM,也分別在1986年、1998年和1999年,凄慘地退出了DRAM市場。目前,只有韓國三星和海力士,佔據絕對壟斷地位,在DRAM市場呼風喚雨,賺得盆滿缽滿。 從美國到韓國,這個巨大的轉變,背後隱藏著半個世紀以來,那些不為人知的經濟戰爭,足以載入經濟學教科書。把歐美和,那些冒牌經濟學家,極力鼓吹的「自由市場經濟」論調,徹底掃進垃圾堆。 ——這是一場真正的經濟戰爭,國與國之間的生死較量,慘烈程度遠超液晶戰爭。 1949年,美國哈佛大學實驗室的王安博士,發明磁芯存儲器。這種古老的存儲器一直使用到1970年代。直至被英特爾批量生產的DRAM內存淘汰。 內存百年——一不怕死的都衝進來 在敘述這場經濟戰爭前,我們先從總體上,了解一下DRAM內存產業的脈絡和現狀。 電腦存儲器的發明者,幾乎都來自計算機巨頭——美國IBM公司。IBM的歷史最早可追溯到1890年代。美國統計學家霍列瑞斯(Hollerith Machin)研製了穿孔製表機,採用在卡紙上打孔的方式,記錄統計數據。1890年,美國進行第12次人口普查時,便大量採用這種機器。直到1930年代,IBM每年仍要銷售上千萬張穿孔紙卡。 1932年,IBM公司的奧地利裔工程師古斯塔夫·陶斯切克(Gustav Tauschek),發明了第一種被廣泛使用的計算機存儲器,稱為「磁鼓存儲器」。直到1950年代,磁鼓依然是大型計算機的主要存儲方式。1956年,IBM公司購買了人王安博士(上海人),擁有的「磁芯存儲器」專利。磁芯存儲一直使用至1970年代。1966年,IBM公司的研究人員,羅伯特·登納德博士,發明了半導體晶體管DRAM內存,並在1968年獲得專利。 然後,1970年美國英特爾,依靠批量生產DRAM大獲成功,逼死了磁芯存儲器。1976年日本廠商進攻DRAM市場后,差點將英特爾逼死。1985年美國發動經濟戰爭,扶植韓國廠商進攻DRAM產業,又將日本廠商逼死。1997年美國發動亞洲金融風暴,差點將韓國廠商逼死。美國控制韓國經濟后,韓國廠商又借著DRAM市場的暴利翻身崛起。此時不怕死的台灣人衝進DRAM市場,投入500億美元卻虧得血本無歸。2007年全球經濟危機,逼死了德國廠商,並將台灣DRAM廠商打翻在地,狠踩兩腳。2017年,不怕死的大陸廠商沖了進來,準備投資660億美元,進攻DRAM市場。 有人說,人瘋了。 我說沒瘋,因為——做為世界第一大電子產品製造國,居然90%以上的內存靠進口,剩下那部分,居然連國產的產量,都控制在韓國企業手裡。 2015年,韓國三星電子投資136億美元(15.6萬億韓元),在韓國京畿道平澤市,建設12寸晶圓DRAM廠(Fab18)。該項目佔地2.89平方公里,總產能預計將達到每月45萬片晶圓,其中3D NAND快閃記憶體晶元將佔據一半以上。主要生產第四代64層堆疊3D NAND快閃記憶體晶元。2017年7月4日三星宣布該廠投產。 行業高度壟斷——韓國三星獨佔鰲頭我們來看看市場情況,就知道為什麼非要進攻DRAM市場了。半導體存儲器主要應用於台式電腦、筆記本電腦、手機、平板電腦、固態硬碟、快閃記憶體等領域,包括DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大類。2015年全球半導體存儲器銷售總額達772億美元。在全球3352億美元的集成電路產業中,佔據23%的份額,是極為重要的產業核心部件。 其中DRAM內存主要用於台式電腦、筆記本電腦,全球市場規模約420億美元,目前被韓國三星、海力士和美國鎂光三家壟斷,佔據90%以上的份額。從1992年以來,韓國三星在DRAM市場已經連續25年蟬聯世界第一,佔據絕對壟斷地位,市佔率超過60%。似乎無人可以撼動它的地位。 NAND Flash快閃記憶體主要用於手機存儲、平板電腦、SSD固態硬碟、大容量快閃記憶體,全球市場規模約300億美元,壟斷形勢更加嚴重。韓國三星、海力士、美國鎂光、英特爾、閃迪、日本東芝六家廠商,壟斷了全球99%的產量。其中僅三星、海力士、東芝三家,就佔了80%以上的份額。NOR Flash快閃記憶體屬於小眾產品,主要用於16M以下的小容量快閃記憶體,全球市場規模只有30億美元,由美國鎂光、韓國三星、台灣旺宏、華邦、大陸的易兆創新等7家企業瓜分。 行業高度壟斷造成的結果,是前三大廠商可以輕易操縱產量和價格,用低價來擠垮競爭對手,或用漲價來謀取暴利。2016年由於全球內存晶元缺貨,三星電子營業收入達到809億美元,利潤高達270億美元。韓國海力士收入142億美元,美國鎂光收入128億美元。 而廠商深受其害。是世界最大的電子產品製造國。2016年,光是就是生產了3.314億台電腦,21億台手機(其中智能手機佔15億台),1.78億台平板電腦。與之相對應,2016年,進口DRAM產品超過130億美元。需要的存儲器晶元9成以上需要進口。國內DRAM產能也掌握在韓國海力士等外資廠商手中。 2015年起,美國鎂光(Micron),在新加坡Woodlands投資40億美元,擴建Fab 10X晶圓廠,主要生產第二代32層堆疊3D NAND快閃記憶體。2017年建成后,月產能14萬片晶圓,採用16納米工藝。 DRAM起源——IBM公司羅伯特·登納德博士的傑作 1960年代早期,美國電子產業,主要由IBM、摩托羅拉、德州儀器、美國無線電公司(RCA)等老牌企業控制。他們依靠二戰時期,美國政府的巨額軍工訂單,發展成為產業大麥克。二戰後主要生產電視機、收音機等新興的家用電器,並為美軍武器提供電子裝備。電子計算機也是新的產業熱點,IBM具有領先優勢。 IBM公司在1956年,花費巨資從王安手裡,購買磁芯存儲器專利,主要是為了解決大型計算機存儲數據問題。磁芯存儲器並不完美,不但磁芯容易損壞,而且價格昂貴,運行速度也慢。然而,磁芯存儲器比磁鼓有個重要優點:電腦斷電后,磁芯保存的數據不會消失。為解決磁芯存儲器存在的不足,IBM進行了長達十幾年的研究。 1961年,IBM在紐約州成立了以半導體為方向的托馬斯·沃森研究中心。仙童當時是IBM的半導體器件供應商,並且發展非常迅速。1965年,仙童公司的戈登·摩爾,在《電子學》雜誌發表文章預言:當價格不變時,集成電路上可容納的晶體管數量,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。這個預言後來被稱為「摩爾定律」。 1966年,IBM托馬斯·沃森研究中心,34歲的羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)博士,提出了用金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,來製作存儲器晶元的設想。原理是利用電容內,存儲電荷的多寡,來代表一個二進位比特(bit)是1還是0。每一個bit只需要一個晶體管加一個電容(1T/1C結構)。1968年6月,IBM註冊了晶體管DRAM專利(3387286號專利)。但是由於IBM正在遭受美國司法部的反壟斷調查,拖延了DRAM項目商業化進度,這給其他公司帶來了機會。 此時,晶體管集成電路已經成為產業熱潮,大批美國公司投入這一領域。1969年,加州桑尼維爾的Advanced Memory system公司,最早生產出1K容量的DRAM,並出售給計算機廠商霍尼韋爾。但是由於存在DRAM工藝上的缺陷,霍尼韋爾後來向新成立的英特爾公司尋求幫助。 1972年前後,英特爾公司為美國Prime電腦公司,生產的微型電腦主板上,焊接了128顆1K存儲容量的C1103 DRAM內存,組成128K容量的內存,以便運行類似DOS的操作系統。1GB=1048576KB,如今一根最普通的4G內存,容量等於這塊老古董的3.2萬倍。最大的單根內存容量達到128G,是這傢伙的100萬倍。 英特爾C1103——DRAM內存商業化大獲成功 1967年,仙童半導體成立十年時,公司營業額已接近2億美元(作為對比1967年外匯儲備為2.15億美元)。但是隨著德州儀器、摩托羅拉、國家半導體在晶體管市場的崛起,仙童的利潤迅速下滑,加之巨額研發投入,企業內部矛盾嚴重。仙童的行業第一地位,迅速被德州儀器取代。 1968年8月,仙童總經理鮑勃·諾伊斯,拉著研發部門負責人戈登·摩爾辭職。從風險投資家阿瑟·洛克那裡拉來250萬美元投資,正式成立了英特爾(Intel)公司,洛克出任董事長。Intel在英文中含有智慧和集成電路的意思,商標是花1.5萬美元,從一家酒店手裡買的。當時公司只有諾伊斯和摩爾兩個員工,他們招兵買馬時,又從仙童公司挖來了工藝開發專家安迪·格魯夫,擔任運營總監。 英特爾成立之初,繼承了仙童的技術能力。公司制定的發展方向是研製晶體管存儲器晶元,這是一個全新的市場。當時的半導體工藝主要有雙極型晶體管,和場效應(MOS)晶體管。這兩項工藝都是仙童的長項。但是哪一種工藝用來生產的晶元更好,他們並不清楚。於是公司成立了兩個研發小組。1969年4月,雙極型小組推出了64bit容量的靜態隨機存儲器(SRAM)晶元C3101,只能存儲8個英文字母。這是英特爾的第一個產品,客戶是霍尼韋爾。 此時在美國電腦市場上,IBM已經成為無可爭議的霸主,被稱為藍色巨人,其他電腦廠商在重壓下苦不堪言。霍尼韋爾公司為了提高其計算機性能,正在尋找SRAM存儲器,這為英特爾帶來了市場機會。與此同時,仙童公司的市場主管傑里·桑德斯,又拉走了一批人,成立了AMD公司。由於融資困難,桑德斯找到了英特爾公司的諾伊斯尋求幫助,最後拉來了155萬美元投資。此後的半個世紀里,英特爾和AMD成為一對難分難解的競爭對手。 1969年7月,場效應管小組推出了256bit容量的靜態隨機存儲器晶元C1101。這是世界第一個大容量SRAM存儲器。霍尼韋爾很快下達了訂單。隨後,英特爾研究小組不斷解決生產工藝中的缺陷,於1970年10月,推出了第一個動態隨機存儲器(DRAM)晶元C1103,有18個針腳。容量有1Kbit,售價僅有10美元,它標誌著DRAM內存時代的到來。 當時的大中型計算機上,還在使用笨重昂貴的磁芯存儲器。為了向客戶宣傳DRAM的性能優勢,英特爾開展全國範圍的營銷活動,向計算機用戶宣傳DRAM比磁芯更便宜(1比特僅需1美分)的概念。由於企業客戶出於安全考慮,不會購買獨家供貨的產品,必須要有可替代的第二供貨源。於是英特爾選擇了加拿大的一家小公司,微系統國際公司(MIL)合作,授權他們用1英寸晶圓生產線進行生產,每年收取100萬美元的授權費用。C1103的用戶主要包括惠普電腦的HP9800系列,和DEC公司的PDP-11計算機,產量有幾十萬顆。 1972年,憑藉1K DRAM取得的巨大成功,英特爾已經成為一家擁有1000名員工,年收入超過2300萬美元的產業新貴。C1103也被業界稱為磁芯存儲器殺手,成為全球最暢銷的半導體晶元。同年IBM在新推出的S370/158大型計算機上,也開始使用DRAM內存。到1974年,英特爾佔據了全球82.9%的DRAM市場份額。 加入DRAM戰場——德州儀器、莫斯泰克、鎂光 1973年石油危機爆發后,歐美經濟停滯,電腦需求放緩,影響了半導體產業。而英特爾在DRAM存儲晶元領域的份額也快速下降。因為他們引來了競爭對手,主要有德州儀器(TI)、莫斯泰克(Mostek)和日本NEC。 早在1970年英特爾發布C1103后,德州儀器便對其進行拆解仿製,通過逆向工程,研究DRAM存儲器工藝結構。1971年德州儀器採用重新設計的3T1C結構,推出了2K產品。1973年德州儀器推出成本更低,採用1T1C結構的4K DRAM(型號TMS4030),成為英特爾的強勁對手。 莫斯泰克則是一家小公司,1969年,德州儀器半導體中心的首席工程師L.J.Sevin(MOS場效應管專家),拉著一幫同事辭職,在馬薩諸塞州成立了莫斯泰克(Mostek)公司,工廠設在德州卡羅爾頓,主要為計算機企業配套生產存儲器件。Mostek開發的第一個DRAM產品MK1001,只有1K容量。1973年,Mostek採用公司創始人Robert Proebsting設計的地址復用技術,研製出16針腳的MK4096晶元,容量提高到4K。16針腳的好處是製造成本低,當時德州儀器、英特爾和摩托羅拉製造的內存是22針腳。 憑藉低成本,莫斯泰克逐漸在內存市場取得優勢。而英特爾此時將精力放在開發8080處理器上,在微型計算機市場取得巨大成功。1976年莫斯泰克推出了採用雙層多晶硅柵工藝的MK4116,容量提高到16K。這一產品幫助莫斯泰克擊敗英特爾,佔據了全球75%的市場份額。 其後莫斯泰克又開發了64K容量的MK4164,到70年代後期,一度佔據了全球DRAM市場85%的份額。但是隨著日本廠商廉價晶元的瘋狂衝擊,短短几年時間,美國廠商就撐不住了。1979年,陷入困境的莫斯泰克,被美國聯合技術公司(UTC),以3.45億美元收購。後來又轉賣給了意法半導體。 1978年,從莫斯泰克離職的三名設計工程師,拉來風險投資后,在愛達荷州一家牙科診所的地下室,創辦了鎂光科技(Micron)。鎂光簽訂的第一份合約是為莫斯泰克設計64K存儲晶元。後來,鎂光從愛達荷州億萬富翁,靠生豬養殖起家的J.R.Simplot那裡拉來了投資,開始建設第一座DRAM工廠。為了節省投資費用,工廠建設在一家廢棄的超市建築里,肉類冷庫被改造成凈化車間,生產設備也是二手的。到1981年晶圓廠投產,只花了700萬美元,而新建一座同類工廠的投資額,一般是1億美元。鎂光的第一批產品是64K DRAM,主要供應給正在飛速崛起的個人電腦製造商。像當時銷量很高的Commodore 64電腦,就是採用鎂光64K內存。到1984年,鎂光推出了世界最小的256K DRAM。 與莫斯泰克類似,鎂光的敵人來自日本。1980年,日本研製的DRAM產品,只佔全球銷量的30%,美國公司佔到60%。到了1985年局勢已經完全倒轉。由於日本廉價DRAM的大量傾銷,鎂光被迫裁員一半,1400名工人失業。鎂光只得向美國政府尋求幫助。從1985年至1986年,英特爾連續虧損六個季度。DRAM市場份額僅剩下1%。當時,英特爾的年銷售額為15億美元,虧損總額卻高達2.6億美元,被迫關閉了7座工廠,並裁減員工。瀕臨死亡的英特爾,被迫全面退出DRAM市場,轉型發展CPU,由此獲得新生。 日本電子企業、汽車企業的兇猛攻勢,最終引爆了美日兩國的經濟戰爭。 舉國體制——籌集720億日元研製DRAM核心設備在1970年代,日本儘管可以生產DRAM內存晶元,但是最關鍵的製程設備和生產原料要從美國進口。為了補足短板,1976年3月,經通產省、自民黨、大藏省多次協商,日本政府啟動了"DRAM製法革新"國家項目。由日本政府出資320億日元,日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資400億日元。總計投入720億日元(2.36億美元)為基金,由日本電子綜合研究所,和計算機綜合研究所牽頭,設立國家性科研機構——「VLSI技術研究所」(超LSI技術研究組合)。研究所地址就選在,位於川崎市高津區的NEC中央研究所內。日立公司社長吉山博吉擔任理事長,根橋正人負責業務領導,垂井康夫擔任研究所長,組織800多名技術精英,共同研製國產高性能DRAM製程設備。目標是近期突破64K DRAM和256K DRAM的實用化,遠期在10-20年內,實現1M DRAM的實用化。(VLSI是超大規模集成電路的簡稱) 在這個技術攻關體系中,日立公司(第一研究室),負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置,右高正俊任室長。富士通公司(第二研究室)研製可變尺寸矩形電子束掃描裝置,中村正任室長。東芝(第三研究室)負責EB掃描裝置與製版複印裝置,武石喜幸任室長。電氣綜合研究所(第四研究室)對硅晶體材料進行研究,飯塚隆任室長。三菱電機(第五研究室)開發製程技術與投影曝光裝置,奧泰二任室長。NEC公司(第六研究室)進行產品封裝設計、測試、評估研究,川路昭任室長。 在產業化方面,日本政府為半導體企業,提供了高達16億美元的巨額資金,包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策,幫助日本企業打造DRAM集成電路產業群。到1978年,日本富士通公司,研製成功64K DRAM大規模集成電路。美國IBM、莫斯泰克、德州儀器也在同時發布了產品。這一年,由於日本64K動態隨機存儲器(DRAM)開始打入國際市場,集成電路的出口迅速增加。 1980年,日本VLSI聯合研發體,宣告完成為期四年的「VLSI」項目。期間申請的實用新型專利和商業專利,達到1210件和347件。研發的主要成果包括各型電子束曝光裝置,採用紫外線、X射線、電子束的各型製版複印裝置、乾式蝕刻裝置等,取得了引人注目的成果。針對難度大的高風險研究課題,VLSI項目採用多個實驗室群起圍攻的方式,調動各單位進行良性競爭,保證研發成功率。各企業的技術整合,保證了DRAM量產成功率,奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。 1970年代,日本松下電器京都府長岡工場,整齊排列的100台自動焊線機,只需要10個人操作。該廠從1968年開始半導體生產。1970年代美國向馬來西亞、韓國、台灣轉移電子製造業,以降低人力成本。日本則採用大規模自動化生產的方式來降低成本。日本報紙震驚地寫道:半導體工廠的人都消失了。 獲得豐厚回報——日本躍居世界第一大DRAM生產國 1977年,全球的個人電腦出貨量總計大約4.8萬台。到1978年已經暴增至20萬台,市場規模大約5億美元。其中美國Radio Shack公司(電器連鎖零售店)出售的Tandy TRS-80電腦銷量約10萬台,均價600美元,銷售額6000美元,採用蓋茨新開發的操作系統,CPU則是從英特爾辭職的前首席設計師費金,研製的Zilog—Z80。蘋果公司的Apple II銷量達到2萬台,平均單價1500美元,屬於高端貨,年銷售額約3000萬美元。個人電腦市場的高速增長,對內存產生了大量需求。這給日本DRAM廠商帶來了出口機會。 做出口貿易的都知道,出口貨不但價錢便宜,質量還要好。而在當時,美國人一般認為日本貨質量低劣,遠遠比不上美國貨。但是實際的結果令人大跌眼鏡。1980年,美國惠普公司公布DRAM內存採購情況。對競標的3家日本公司和3家美國公司的16K DRAM晶元,質量檢驗結果顯示:美國最好DRAM公司的晶元不合格率,比日本最差DRAM公司的晶元不合格率,高出整整6倍。雖然惠普礙於情面,沒有點出這些公司的名字。但人們很快知道了,三家美國公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克,三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司為了拿到訂單,甚至在給銷售部門的指示上明確要求,要比美國公司的價格低10%。 質量好,價格低,量又足,日本DRAM內存在美國迅速崛起。1982年,日本成為全球最大的DRAM生產國。這一年3月,日本NEC的九州工廠,DRAM月產量為1000萬塊(約1萬片晶圓)。到了10月,月產量暴增至1900萬塊。其產量之大,成品率之高(良率超過80%),質量之好,使得美國企業望塵莫及。與產量相伴的是,原來價格虛高的DRAM內存模塊,價格暴降了90%。一顆兩年前還賣100美元的64K DRAM存儲晶元,現在只要5美元就能買到了,日本廠商還能賺錢。美國企業由於晶元成品率低,根本無法與日本競爭,因此陷入困境。 1982年,美國50家半導體企業秘密結成技術共享聯盟,避免資金人力重複投資。可是這些合作項目剛剛啟動,就傳來了壞消息。美國剛剛研製出256K DRAM內存,而日本富士通、日立的256K DRAM已經批量上市。1983年間,銷售256K內存的公司中,除了富士通、日立、三菱、NEC、東芝之外,只有一家摩托羅拉是美國公司。光是NEC九州工廠的256K DRAM月產量,就高達300萬塊。日本廠商開出的海量產能,導致這一年DRAM價格暴跌了70%。內存價格暴跌,使得正在跟進投資更新技術設備的美國企業,普遍陷入巨額虧損狀態。難以承受虧損的美國企業,紛紛退出DRAM市場,又進一步加強了日本廠商的優勢地位。 1978年3月15日,日本朝日新聞,報道垂井康夫擔任所長的VLSI技術研究所,研製成功電子束掃描裝置。 低成本優勢——美國廠商節節敗退 1984年,日本DRAM產業進入技術爆發期。通產省電子所研製成功1M DRAM,三菱甚至公開展出4M DRAM的關鍵技術。日立生產的DRAM內存,已經開始採用1.5微米生產工藝。東芝電氣綜合研究所,則投資200億日元,建造超凈工作間。在這種超凈廠房內,每一立方米的凈化空氣中,直徑0.1微米的顆粒,不能超過350個。只有在這種條件下才能製備1M、4M容量的DRAM存儲器。與此同時,東芝研製出直徑8英寸(200mm)級的,世界最大直徑硅晶圓棒。到1986年,光是東芝一家,每月1M DRAM的產量就超過100萬塊。 日本企業大量投資形成的產業優勢,導致日本半導體對美國出口額,從1979年的4400萬美元,暴增至1984年的23億美元。五年間暴增52倍!而同時期,美國對日本出口的半導體,僅僅只增長了2倍。美國公司失去產品競爭力的後果,便是越想追趕越要投資,越投資虧損越大,陷入惡性循環。 以英特爾為例,本來到1978年前後,英特爾在莫斯泰克的猛攻下,已經成為美國DRAM市場的後進角色,美國市場佔有率低於20%。但是隨著1980年後,日本DRAM產品大量出口美國,英特爾的日子就過不去下了。雖然DRAM產品只佔英特爾銷售額的20%,但是為了保住這塊核心業務,公司80%的研發費用投向了DRAM存儲器,明顯是本末倒置。等到英特爾好不容易開發出新DRAM產品,此時日本廠商已經在低價傾銷成品,導致英特爾無利可圖,連研發費用都賺不回來。1984年至1985年間,陷入巨額虧損的英特爾,被迫裁員7200人,仍不能扭轉困局。1985年10月,英特爾向外界宣布退出DRAM市場,關閉生產DRAM的七座工廠。 1985年,全球半導體產業轉入蕭條,半導體價格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元,下降到1985年中旬的0.75美元。同期,256K DRAM由31美元下降到3美元。價格暴跌使美國英特爾、國家半導體等廠商撤出了DRAM市場。然而,就在同一年,日本NEC的集成電路銷售額,排名世界第一,企業營業額是二戰前的三百多倍,一舉超越長期是行業龍頭的美國德州儀器公司。憑藉VLSI項目的成功,日本企業一舉佔據了64K、128K、256K和1M DRAM市場90%的份額。 1991年6月,日本駐美大使村田良平,與布希政府的美國貿易代表卡拉·安德森·希爾斯,在華盛頓簽署新的五年期《日美半導體協議》。美國希望在1992年底前,能夠在日本半導體市場佔據20%的份額。這個協議讓美國企業喘口氣,韓國半導體產業則異軍突起。到1995年底,外國半導體在日本市場佔有率超過了30%。希爾斯這個女人非常厲害,的很多對美貿易談判,都是以她為對手。 韓國產業聯盟——四大財閥全力進攻DRAM產業 1976年,就在日本啟動VLSI研究項目的同時,韓國政府在龜尾產業區(漢城東南200公里),建立韓國電子技術研究所(KIET),分為半導體設計、製程、系統三大部門。每個部門都交由具備美國半導體產業研究經驗的專員領導。並招收美國歸來工程師,設置試驗生產線,協助企業研發集成電路關鍵技術。1978年,韓國電子技術所通過與美國矽谷的公司合資,建造了韓國第一條3英寸晶圓生產線(比台灣工研院晚2年),並在1979年生產出16K DRAM。儘管比日本落後幾年,但這是韓國第一次掌握VLSI(超大規模集成電路)技術。 電子產業的景氣環境,促使韓國LG、現代等財閥,都加入了半導體產業。韓國貿工部因此牽頭,組建了韓國電子產業聯盟(EIAK)。該聯盟後來在韓國高科技產業發展中,扮演舉足輕重的角色。而三星、LG和現代,成為韓國在半導體領域進行技術突破的主力軍。1980年1月,三星電子與三星半導體合併,組成新的三星電子,專攻半導體領域。 到1983年,日本DRAM內存在美國市場大獲成功的時候,眼紅的韓國四大財閥——三星、現代、LG和大宇,全部安排資金,重資下注DRAM產業。它們的企業策略很明確:以較低的成本追趕日本DRAM產業。而韓國全斗煥政府,採取了金融自由化政策,鬆綁融資環境。1983年的股票價格上漲,讓韓國各財閥能夠輕易調動資金,投入到半導體產業。 韓國三星位於漢城以南30公里的龍仁市器興的產業基地。 技術起步期——三星從美國日本弄來技術 1983年2月,三星集團創始人李秉喆在東京發表宣言:宣布三星集團正式進軍半導體產業,並準備出資1000億韓元(約1.33億美元),執行這項計劃。在此之前,三星已經建立半導體實驗室,並聚焦在DRAM領域。三星之所以選擇DRAM,是考慮到在所有存儲產品中,DRAM的應用範圍和市場潛力最大。但是從技術領域看,三星當時存在著巨大的技術鴻溝。如何獲得先進核心技術呢?三星嘗試從國外引進技術,連續遭到美國德州儀器、摩托羅拉、日本NEC、東芝、日立等公司的拒絕。 最終,三星通過美國幾家陷入困境的小型半導體公司找到門路。當時美國鎂光科技規模還很小,已經被日本廉價DRAM擠壓得喘不過氣,還要投錢研發256K DRAM產品。於是鎂光將64K DRAM的技術授權給了韓國三星。三星又從加州西翠克斯(CITRIX)公司買到了高速處理金屬氧化物的設計。 獲得兩家美國公司技術后,三星分別在美國矽谷和漢城南部30公里的龍仁市器興(Giheung),設立兩個研發團隊,招募韓裔美國工程師,日以繼夜地消化吸收技術。矽谷團隊負責收集美國的產業技術資訊。器興團隊負責建設工廠,熟悉三星從日本夏普手裡弄來的量產製程設備。日本夏普由於被通產省歸類為消費電子公司,而非IC半導體公司,因此不受出口技術規範管制。三星找到這個漏洞,從夏普買來設備。六個月後,三星的工程師成功掌握了,量產64K DRAM的301項流程,和其中8項核心技術,順利製造出生產模組。 1983年12月1日,三星電子社長姜振求召開記者招待會,宣布三星已經繼美、日兩國之後,成功自行研發出64K DRAM。1984年5月,三星第一座DRAM工廠在器興竣工,工期只用了半年。四個月後開始批量生產的64K DRAM。這比美國研製的同類產品晚了40個月,比日本晚了6年。當時三星生產線上的員工,多數是農村來的婦女,文化素質不高,但是服從性好。工廠技術管理,主要靠三星從美國高薪招募回來的韓裔工程師。 引進技術——八仙過海各顯神通 繼三星之後,韓國LG、現代,也通過引進國外技術,積累了核心技術能力。1984年,LG半導體接管了韓國電子技術研究所(KIET),掌握了老舊的3英寸晶圓生產線。1986年,LG投資1.35億美元,從美國AMD公司獲得技術授權,並和美國AT&T下屬的西方電子(Western Electric)成立合資公司。LG曾經試圖購買AT&T的256K DRAM以超越三星,結果未能如願。LG因此在64K產品上落後於三星和現代。直至1989年,LG與日立簽署技術轉移協議,才取得穩定的技術來源。由於韓國當時已經完成對1M和4M DRAM的技術攻關。於是日立將自己的1M和4M DRAM量產技術轉移給LG,LG支付幾百萬美元的專利授權費用,產品以OEM方式直接出口給日立。日立這樣做,主要是為了獲得穩定的OEM供貨來源,使日立公司能夠騰出人力,專註於下一代16M DRAM的製程研發。同時,也可以使日立控制韓國競爭對手的產能。 韓國現代則比較特殊,這個財團以汽車造船和重型機械為主,幾乎沒有任何電子產業經驗。但是為了保持在汽車等產業的技術競爭力,勢必要發展電子工業。於是在1982年底,現代投資高達4億美元,啟動半導體研製項目。現代效仿三星,也在韓國和美國矽谷設置了兩個研發團隊。國內是由114名工程師組成的半導體實驗室,矽谷建立了現代電子的子公司,由韓裔美國工程師組成。1984年,韓國現代從矽谷華人陳正宇博士,經營的美國茂矽(Mosel)公司,購買64K SRAM設計,開發出16K SDRAM晶元並量產。由於缺乏經驗,導致現代的量產成品率低。(陳正宇隨後回到台灣,成立了台灣茂矽電子。) 無法承受虧損壓力——韓國大宇退出DRAM市場 面臨技術障礙的現代電子,被迫轉向OEM代工方式,獲得技術來源。1985年前後,由於美國廠商在日本進攻下節節敗退,美國德州儀器為降低製造成本,與韓國現代簽訂OEM協議,由德州儀器提供64K DRAM的工藝流程,改善產品良率。1986年,現代電子成為韓國第二家,量產64K產品的製造商(比三星慢了兩年)。由於技術基礎薄弱,現代的市場佔有率遠弱於三星和日本企業。由於DRAM市場不景氣,現代承受了巨額虧損。幸好現代是大型財團,可以從汽車造船等其他部門,挪用資金來支持現代電子。事實上,現代電子從1982年投資4億美元到DRAM產業,要等10年後才能收回全部投資。尤其在前三年,現代電子承受了數億美元的巨額虧損。韓國大宇則在技術和資金壓力下,完全退出了DRAM市場競爭。 1982年至1986年間,韓國四大財團在DRAM領域,進行了超過15億美元的瘋狂投資,相當於同期台灣投入的10倍。同時期,上海寶鋼項目投資40億美元左右。但是在電子工業方面,政府幾乎放棄了產業主導權。各省市胡亂花費了3-5億美元,購買外國淘汰技術,根本未能形成技術競爭力。而且在廣東、福建、海南、浙江等沿海省份,巨額走私日本、美國、台灣電子元器件的衝擊下,電子工業徹底崩潰,就這樣跪了三十年也沒能爬起來。 面對韓國企業咄咄逼人的追趕態勢,日本廠商以低於韓國產品成本一半的價格,向市場大量拋售產品,有意迫使韓國人出局。結果韓國大型財團不但頂住巨額虧損壓力,追加投資,還讓日本企業承擔了美國反傾銷的壓力。美國與日本的紛爭,讓韓國漁翁得利。1992年,韓國三星超越日本NEC,首次成為世界第一大DRAM內存製造商,並在其後連續蟬聯了25年世界第一。 1990年8月,韓國三星成為世界第三個推出16M DRAM內存晶元的企業。 韓國產業擴張——補齊短板搶佔市場 從1990年開始,韓國三大企業已經具備了,趕超日本DRAM產業的技術體系建設。三星建立了26個研發中心,LG和現代各有18、14個研發中心。與之對應的是,三星的技術研究費用成倍增加。1980年三星在半導體領域的研發費用僅有850萬美元,到1994年已經高達9億美元。1990年三星還落後日本,第三個推出16M DRAM產品。到1992年,三星領先日本,推出世界第一個64M DRAM產品。1996年,三星開發出世界第一個1GB DRAM。與研發費用相對應,1989年韓國的專利技術應用有708項,1994年竄升至3336項。 但是作為產業後進者的韓國,仍然存在致命短板。韓國的核心生產設備和原料,主要從美國、日本進口。僅在1995年,韓國就進口了價值25億美元的半導體生產設備,其中47%自日本進口,30%來自美國。由於日本政府在設備管制方面的漏洞,韓國可以輕易買到日本先進設備,但是卻很難從日本引進技術。為了減少對外國供應商的依賴,1994年,由韓國政府主導,推出總預算2000億韓元(2.5億美元)的半導體設備國產化項目,鼓勵韓國企業投資設備和原料供應鏈。韓國貿工部在漢城南部80公里的松炭和天安,設立兩個工業園區,專門供給半導體設備廠商設廠。為了挖來技術,韓國以優厚條件招攬美國化工巨頭杜邦、矽片原料巨頭MEMC、日本DNS(大日本網屏)等廠商,在韓國設立合資公司。 完成量產技術積累后,韓國企業開始向產業廣度擴張,以三星為例:三星從美國SUN公司引進JAVA處理器技術,從法國STM(意法半導體)引進DSP晶元技術,從英國ARM引進聲音處理晶元技術,與日本東芝、NEC、沖電氣(OKI)展開新型快閃記憶體方面的技術交流。通過與美國、歐洲企業建立聯盟合作關係,三星在DRAM之外,獲得了大量晶元產業資源,開始向微處理器(CPU)等領域快速擴張。 1995年美國微軟公司推出Windows 95操作系統,受此影響,韓國與日本廠商瘋狂擴充產能,導致DRAM產品供過於求,引發DRAM價格暴跌70%。但是在美國的刻意扶植下,韓國廠商仍然力壓日本。1996年,韓國三星電子的DRAM晶元出口額達到62億美元,居世界第一,日本NEC居第二。韓國現代電子以21.26億美元居第三位。LG半導體以15.4億美元居第九位。 雖然產能在不斷增加,但為此投入的巨額資金,使得韓國和日本廠商都背負著巨額債務。當潮水退去時,才看出誰在裸泳。 台灣DRAM產業起步——宏碁電腦咬牙進場 1989年,台灣宏碁電腦(占股74%)與美國德州儀器(占股26%)合資,設立德碁半導體,投資31億元新台幣(1.2億美元),由德州儀器提供技術,在新竹園區建設6英寸晶圓廠,生產1M DRAM產品。這是台灣第一家專業DRAM生產廠。台積電前廠長高啟全,也在這一年,集資8億元新台幣,創立了旺宏電子,後來成為全球最大的只讀存儲器(ROM)生產商。 宏碁電腦最早是1976年,由施振榮等人創辦的一家小公司,靠生產計算器起家,後來生產小教授掌上學習機壯大,1988年宏碁股票上市。憑藉台灣股市瘋狂上漲籌措到充裕資金,宏碁看好電腦行業,便一頭扎進了DRAM產業。但是等到德碁設廠后,市場已經向4M DRAM過渡,宏碁只好追加投資。1990年前後,內存市場不景氣加上台灣股市暴跌,逼迫德碁咬牙發行了9億元的三年期特別股,年息5%,期滿後由宏碁購回。 面對沉重的資金壓力,宏碁還將16%的德碁股份,轉讓給了中華開發信託公司。宏碁的苦日子熬了三年,直到1992年日本住友半導體環氧樹脂廠爆炸,引發DRAM價格谷底翻升,德碁才扭虧為盈。隨後又建設了一座8英寸晶圓廠。但是由於景氣周期影響,1997至98年德碁累計虧損超過50億元,美國德州儀器也受不了虧損,乾脆把DRAM業務甩賣給了鎂光,跟台灣宏碁的技術合作自然也就終止了。在失去技術來源后,到1999年,宏碁將德碁半導體,高價出售給了台積電,賬面獲利超過200億元新台幣。德碁也被台積電改造成了晶圓代工廠。 工研院技術攻關——世界先進半途而廢 面對日本、韓國日新月異的DRAM技術能力,1990年,台灣官方在美國顧問建議下,啟動了「次微米製程技術發展五年計劃」,目標是砸下58.8億元(約2億美元),攻克8英寸晶圓0.5微米製程技術,獲得4M SRAM和16M DRAM的生產能力。聯華電子、台積電、華邦電子、茂矽電子、旺宏電子、天下電子等六家企業參與其中。由於台灣並沒有相關的技術能力,台灣方面找到了美國IBM公司,負責16M DRAM研製的盧超群博士等人,由他們在台灣設立鈺創科技,將技術轉移到台灣。 由於台灣產業技術薄弱,1990年代之後,工研院電子所和從美國回來的研發人員,成為台灣半導體產業發展的技術源頭。與此同時,美國半導體產業在日本廉價晶元攻勢下節節敗退,大規模裁員也迫使一批矽谷華人,回到台灣創業。 1994年12月,台灣省經濟部為了落實工研院的次微米計劃成果,決定在新竹園區,投資180億元(5億多美元),由台積電占股30%,和華新麗華、矽統、遠東紡織等13家公司合股,成立世界先進積體電路股份有限公司(簡稱世界先進),建設台灣第一座8英寸晶圓廠,以DRAM晶元為主攻業務。然而世界先進的經營狀況很不好,2001年虧損92.93億元,元氣大傷。到2003年,世界先進嚴重虧損,累計虧損達194.12億元,被迫退出了DRAM生產。在台積電主導下,世界先進徹底轉型成了晶圓代工廠。從1994年至2003年,世界先進只有3年出現獲利,虧損卻長達7年。究其虧損原因,在於企業投資規模太小,產能微不足道,根本無力與韓國三星、日本NEC等大麥克,進行同場廝殺。而張忠謀並不看好台灣DRAM產業,台積電的晶圓代工產能卻供不應求,於是張忠謀力爭將世界先進,向晶圓代工廠轉型。 世界先進是台灣唯一一家,能夠進行DRAM產業技術研發的企業。其他企業全部是花費巨額資金,從日本、美國獲得製程技術授權。每年付出的技術費用,占銷售額3%以上。再加上巨額進口設備投資,使得台灣企業根本無法與掌握自主技術研發能力的韓國企業競爭。世界先進的垮台,最終導致台灣DRAM產業如同無根之木,註定了失敗命運。 力晶瘋狂投資——十年虧損一年賺回 1993年,台灣電腦主板生產廠——精英(力捷)電腦的董事長黃崇仁,在全球DRAM嚴重缺貨的情況下,跑到日本東芝要貨,卻吃了閉門羹。黃崇仁決定自行投資生產DRAM。在從日本三菱電機獲得技術授權后,1994年黃崇仁投資4億元新台幣,在新竹園區成立了力晶半導體。由於財力薄弱、技術薄弱,力晶面臨極大的困難,直到1996年才建成了第一條8英寸生產線,以0.4微米工藝生產16M DRAM/SDRAM。1998年2月力晶股票成功上市,但是由於0.18微米製程的生產良率問題,加上市場不景氣,到1998年底,力晶稅前虧損38億元,四年累計虧損65.69億台幣,已經到了存亡關頭。黃崇仁在情急之下,找張忠謀幫忙。張忠謀趁機用台積電控股的世界先進,向力晶注資27億元,獲得日本三菱電機和兼松商社釋出的11%力晶股份,成為力晶最大股東。在張忠謀引導下,力晶也開始向晶圓代工轉型。 2000年DRAM產業景氣大好。此時只有一座8英寸廠的力晶,宣布投資600億元(19億美元)巨額資金,建設12英寸晶圓廠。這是一項極為瘋狂的投資。工程開始后,景氣卻迅速下滑,為了籌集資金,力晶發行了2億美元公司債。到2002年12寸新廠建成,力晶連年虧損。由於三菱電機將DRAM業務併入爾必達,力晶於是和爾必達結成同盟,獲得90納米技術授權。2003年力晶又動工興建了第二座12英寸廠。直至2004年,力晶的12寸晶圓廠,成為全球唯一將256M SDRAM生產成本,降至3美元以下的廠商。當年盈利高達165.49億元(約5億美元),把過去十年賠掉的錢,一次賺了回來。力晶的股價也順勢大漲,成為台灣DRAM股王。 2004年是一個節點,英特爾在向業界力推新規格的DDR2內存,以淘汰DDR內存。全球DRAM產業從8英寸廠向12英寸廠轉移產能,以降低製造成本。一片12英寸晶圓,雖然材料成本比8英寸晶圓貴52%,但是產量是8英寸晶圓的2.25倍,可以使產品顆粒成本下降30%左右。但是8英寸廠的投資額約10-15億美元,12英寸廠的投資額,竟暴漲至20-25億美元。在2000年市場景氣時,幾乎每一家廠商都放話要蓋12英寸晶圓廠,然而經過兩年景氣衰退,還敢投資建設12寸廠的業者,只剩下了八家——分別是韓國三星、海力士,美國鎂光,德國英飛凌,日本爾必達,台灣的茂德、南亞科技和力晶。無力建設12寸晶圓廠的公司,也就只好洗牌出局,去做晶圓代工了。2006年力晶與日本爾必達合作成立瑞晶電子,用老舊的8寸生產線,專門做晶圓代工業務。並規劃5年內在台灣中部科學園區,建設4座月產能6萬片的12英寸晶圓廠。總投資額高達4500億元新台幣(約136億美元)。同年瑞晶又將旺宏電子閑置的12寸生產線收購過來,專門進行代工生產。 土豪股東——台塑集團重資下注 1995年3月,台灣龍頭企業台塑集團,成立南亞科技,在台北縣南林園區設立8英寸DRAM廠,月產能3萬片。技術來自日本沖電氣(OKI)授權的16M DRAM。台塑為了解決晶圓供應問題,還投資42億元台幣,與日本小松合資成立了專門生產高純度晶圓棒材的工廠。這就使南亞具備了成本優勢。南亞的每片8寸晶圓製造成本約1000美元,比同業的1300-1400美元要低很多。 由於遇到景氣衰退,南亞科技從建廠起就連年虧損。但是憑藉台塑集團資本雄厚,1998年7月,南亞科技在DRAM市場最低迷的時候,開工建設第二座8寸晶圓廠,並與美國IBM簽訂了0.2微米64M DRAM的技術授權協議。南亞當時是IBM伺服器DRAM的主要供應商之一。到2000年8月,南亞試生產的0.175微米64M DRAM開始大量投片,良率達到70%,每片8寸晶圓可以產出1050顆成品,加上封裝測試費用,每顆成品的成本只有2美元左右。如果按照月產能3萬片計算,每月可生產3150萬顆左右的DRAM晶元顆粒,價值超過6000萬美元。但是由於產業不景氣,2001年南亞虧損115.64億元(3.5億美元)。幸虧台塑集團籌集巨資才度過難關。 到2002年,全球DRAM產業不景氣,由英特爾主推的Rambus內存,因技術原因敗給了DDR內存,DDR成為市場主流。而南亞憑藉DDR內存的成本優勢,盈利100億元(2.86億美元),成為台灣五大DRAM廠中,唯一盈利的廠商。老牌DRAM大廠華邦電子,由於不堪虧損,乾脆轉去做晶圓代工了。 2003年1月,南亞科技與德國英飛凌合資,成立華亞科技,雙方各占股46%,投資22億美元(820億元新台幣),建設12英寸晶圓廠,產量由雙方平分。到2006年,台灣一度轟轟烈烈的DRAM產業熱潮,還剩下六家廠商。其中三家是自主品牌廠商:南亞科技、茂德和力晶。還有三家是專做DRAM代工的廠商:華邦電子、新成立的華亞科技和瑞晶。其中華亞為德國英飛凌代工,瑞晶為日本爾必達代工生產DRAM。 德國英飛凌——台灣茂德、南亞、華亞的技術后 英飛凌前身是德國西門子的半導體部門。1996年,台灣茂矽電子(占股62%)與西門子的半導體部門合資,投資450億元新台幣,在新竹園區成立茂德電子,建設8英寸晶圓廠。採用西門子提供的製程生產DRAM晶圓,產量由兩家分配。1998年由於產業不景氣,西門子半導體部門從集團分離出來,成立了英飛凌,繼承了西門子在半導體領域的三萬多項專利,是當時僅次於三星、鎂光的第三大DRAM廠商,2001年營業額57億歐元。 2001年起,由於DRAM產業不景氣,茂矽虧損300億元新台幣,並大量質押茂德股票,引發與英飛凌的矛盾。2002年10月,英飛凌突然與茂矽中斷合資關係,終止技術授權合約,並停止採購茂德的晶圓。此後茂矽大量回購茂德股票,英飛凌則轉向與南亞科技合作,由此組建了華亞半導體。英飛凌撤資后,茂德為了救急,先後與英飛凌的對手,日本爾必達和韓國海力士達成合作關係。此後的發展非常艱難,2007年金融危機后,茂德便一直虧損,到2012年破產時,負債高達700億元(約21億美元),已經完全資不抵債。 英飛凌與南亞科技合作建設12英寸晶圓廠,希望通過合資方式掌握產能,挑戰三星電子,目標是拿下全球30%的市場。然而建廠耗資巨大,市場卻不景氣。2005年,全球DRAM市場增長了57%,但內存平均價格下跌了40%。英飛凌為了規避風險,於是將虧損嚴重的DRAM業務分離出來,於2006年3月成立了奇夢達(Qimonda)。(2009年奇夢達破產後被浪潮集團併購。) 與此同時,2006年3月,南亞科技再次砸下800億元台幣(24億美元),開工建設第二座12英寸晶圓廠。原因是2005年7月,微軟推出了Windows Vista操作系統。台灣廠商押寶該系統,會讓消費者購買更多的DDR2內存。然而市場對Vista的冷淡反應,讓人措手不及。更嚴重的是,一場席捲全球的金融風暴,徹底摧毀了台灣DRAM產業的未來。 全球金融危機——壓垮台灣DRAM產業 2007年8月,由美國次貸危機引發的金融風暴席捲全球。由於內存供過於求,價格出現全面崩盤。2007年1月,512M 667MHz DDR2顆粒的價格還有6美元,到年底已經跌破成本價,僅為1.09美元。反映在市場上,2007年初,一根1GB 667MHz DDR2內存條的售價還在250元左右,甚至在暑期一路漲到360元。但是從8月中旬起,由於內存廠商降價清空庫存,以應對經濟危機,海關趁機放寬內存條進口,導致內存價格一路暴跌。到年底1G內存條的價格僅為110元,現代512M DDR2內存條的價格僅有65元。囤貨炒內存條的商家因此虧到吐血。 反映到企業業績上,全球DRAM廠商更是虧到哭。從2007年至2008年底,全球DRAM行業累計虧損超過125億美元,台灣DRAM產業更是全線崩盤。其中資本實力最為雄厚的南亞科技,從2007年起,連續虧損了六年,累計虧損1608.6億元(約49億美元),最慘的時候每股凈值只剩下0.09元。華亞科技從2008年起,連續虧損五年,累計虧損804.48億元(約24.4億美元)。這兩家由台塑集團投資的DRAM廠,一共虧損2413.08億元(約73億美元)。如果不是台塑集團實力雄厚,南亞與華亞早就破產倒閉了。 2008年最慘的時候,力晶虧損565億元,茂德虧損360.9億元。幾乎每天虧損1億元。台灣五家DRAM廠共虧損1592億元(約48億美元),創歷史紀錄。2009年初,台灣所有DRAM廠家放無薪假。 致命缺陷——台灣缺乏自主核心技術 2008年金融危機越燒越旺時,台灣官方便提出將台灣六家DRAM廠整合的計劃。與韓國相比,台灣六家DRAM廠佔全球市場份額還不到20%。也就是說,六家捆到一起,還抵不上韓國三星一家的產能。問題還不僅僅如此,台灣廠商主要存在三個致命問題:一沒有核心技術研發能力,要花大價錢從日本、美國、德國廠商手裡購買技術授權。國際上DRAM廠的平均研發費用要佔企業營收的15-20%,而台灣僅6%。每年台灣向外國支付的技術授權費用超過200億元新台幣(約6億美元)。僅2007年,台灣四大DRAM廠支付的技術授權費就高達4.7億美元。 二是沒有製程設備研製能力,台灣每年要花費十幾億美元巨額資金,去購買日本、美國的設備。可是今年花十幾億美元進口的90納米設備,明年別人已經採用65納米製程了。日本、韓國都擁有一定的設備研製能力,在設備成本上要遠低於台灣。三是台灣沒有市場縱深,全要仰賴日本、韓國、美國、大陸廠商的採購訂單。平時日本、韓國廠商能扔些訂單到台灣。而一遇經濟危機,日韓訂單萎縮,台灣廠商立時陷入困境。台灣的DRAM產品在容量、性能、品質、價格、品牌上都處於劣勢,怎麼跟韓國競爭? 台灣這種只圖快進快出,靠購買技術授權、製程設備來快速擴充產能、賺快錢的經營模式。在面臨韓國、日本財閥式經濟集團的重壓時,根本不堪一擊。 台灣DRAM產業整合——烏合之眾難成氣候 為挽救債台高築的DRAM廠,台灣官方的計劃是進行產業整合。成立「台灣記憶體公司」(Taiwan Memory Company,TMC),由聯華電子副董事長宣明智負責,對六家DRAM廠進行控股整合。同時與日本爾必達或美國鎂光談判,合作推進自主技術研發。台灣官方希望TMC是一家民營企業,政府投資越少越好,最多不超過300億元新台幣。 由於日本爾必達也在金融風暴中陷入困境,因此願意向台灣提供全部核心技術,以換取台灣的援助資金。但是台灣各家DRAM廠卻並不願意整合。因為各家公司背後都有不同的技術合作對象,採用的技術不同。而且台灣官方的整合計劃,並不能挽救各家工廠的財務困境,因此整合工作很難推進。與此同時,台灣媒體也在火上澆油。如2009年3月7日,台灣自由時報,以《國發基金小心掉進大錢坑》為題,指稱TMC是個錢坑,DRAM產業面臨產能過剩、流血競爭等局面。 到2009年10月,「DRAM產業再造方案」在立法院審議時遭到否決,禁止國發基金投資TMC公司。與此同時,由於奇夢達破產和Windows7帶來的換機熱潮,推動DRAM市場景氣迴轉,產品價格持續飆升。之前陷入困境的各家廠商,情況出現好轉。日本爾必達也因此拒絕向台灣轉讓核心技術。台灣DRAM產業整合計劃,就此徹底失敗。 市場景氣的暫時回暖,並不能改變台灣DRAM產業小而散、缺乏技術、缺乏競爭力的局面,註定了它們被淘汰的命運。2010年,韓國三星砸下18萬億韓元(約170億美元,合1100億元人民幣)巨額資金,傾全力發展DRAM和NAND快閃記憶體技術,血洗內存產業。日本、台灣廠商迅速敗下陣來。 2012年2月,日本爾必達宣布破產,負債高達4480億日元(89.6億美元),是日本史上最大的破產案件。同月,台灣茂德申請破產保護,虧損總額超過700億元新台幣(約21億美元)。南亞科技在2012年虧損360億元,等於每天賠掉1億元。自從奇夢達破產後,南亞科與美國鎂光結成聯盟。台塑旗下的華亞科技,從2008年至2012年,連續虧損五年,虧損總額達744.98億元(約22.6億美元)。2013年至2014年,華亞科技扭虧為盈,獲利高達741億元(含巨額退稅)。盈虧相抵,僅虧損4億元新台幣。2015年12月,美國鎂光以32億美元(206億元人民幣),收購台灣華亞科技67%的股份。台塑集團終於甩掉了這個燙手山芋。 綜觀台灣DRAM產業發展三十年來,最終落得一地雞毛。究其根源,在於台灣省政府盲目聽信美國主導的自由市場經濟理論。1980年代,台灣省政府還能在產業政策、產業技術上,對DRAM產業進行扶持。到2000年後,儘管陳水扁政府提出了「兩兆雙星」產業政策,但是對DRAM產業、液晶面板產業缺乏扶持力度,缺乏產業主導能力,導致台灣DRAM、液晶面板產業,在小而散的錯誤道路上越走越遠,最終被韓國企業全面擊潰。 台灣的產業失敗經歷,是用500億美元巨額投入換來的。這個教訓足夠深刻。 全球DRAM產業複雜的競爭與合作關係,如同春秋戰國時期的合縱連橫。強者恆強,高度壟斷。 大陸入局——一場只許勝不許敗的戰爭 在外資廠商市場壟斷下,華為、中興、小米、聯想等手機、PC廠商,經常遇到DRAM缺貨情況。而在國內,僅有中芯國際具備少量DRAM產能,根本無法實現進口替代。 怎麼辦呢?有錢可以買吧?2015年7月,紫光集團向全球第三大DRAM廠商,美國鎂光科技,提出230億美元的收購要約。結果被鎂光拒絕了,理由是擔心美國政府,會以信息安全方面的考慮,阻撓這項交易。 那就自己造吧。於是從2016年起,掀起了一場DRAM產業投資風暴。紫光集團宣布投資240億美元,在武漢建設國家存儲器基地(武漢新芯二期12英寸晶圓DRAM廠),佔地超過1平方公里,2018年一期建成月產能20萬片,預計到2020年建成月產能30萬片,年產值超過100億美元。計劃2030年建成月產能100萬片。福建晉華集團與台灣聯華電子合作,一期投資370億元,在晉江建設12英寸晶圓DRAM廠,2018年建成月產能6萬片,年產值12億美元。規劃到2025年四期建成月產能24萬片。合肥長鑫投資494億(72億美元),2018年建成月產能12.5萬片。 2017年1月,紫光集團宣布投資300億美元(約2000億人民幣),在江蘇南京投資建設半導體存儲基地,一期投資100億美元,建成月產能10萬片,主要生產3D NAND FLASH(快閃記憶體)、DRAM存儲晶元。 上述四個項目總投資超過660億美元(4450億元人民幣)。確實有點瘋狂。 從上文世界DRAM產業的發展歷史,就會讓人看清一件事情 ——拿錢砸死對手,少砸一點就會死!不相信的都死了! 今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1370期內容,歡迎關注。 Reading 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