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面對智能手機與其他手持式設備的儲存需求越來越大，加上雲伺服器與全快閃記憶體的量持續攀升，使全球 NAND Flash 快閃記憶體一直供不應求。全球最大快閃記憶體供應商──韓國三星有意在今後3年，斥資70億美元，在最大的西安工廠擴產NAND Flash產能。根據《路透社》報導，韓國三星電子28日表示，預計未來3年內將投資70億美元，擴大西安工廠的NAND Flash快閃記憶體產能。目前，三星在西安工廠產能約每個月12萬片，幾乎達滿載狀態。三星2017年7月初宣布計劃在韓國至少投資21.4萬億韓元（約 186.2 億美元），以提高存儲器和OLED屏幕產量，當時就表示將於三星西安NAND Flash快閃記憶體工廠再新增一條生產線，用以增加NAND Flash快閃記憶體產能。不過，當時並未確認最後預計的總投資金額。報導表示，根據三星一份監管文件表示，目前已批准預期投資的70億美元中的23億美元支出，其他部分將陸續依照未來 3年當年度需求，陸續投資。據韓聯社報道，西安半導體生產線於2014年建成，目前開工率100%，擴張產能，布局，有助於在全球最大NAND快閃記憶體市場應付日益增長的中長期需求。據悉，新建生產線全部用於製造垂直快閃記憶體（V-NAND）。NAND晶元是快閃記憶體的一種，它更像硬碟，成本比NOR型快閃記憶體低一些，但容量大得多。所以，NAND晶元主要用於資料存儲，是常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體盤、數碼存儲卡等。而NOR型快閃記憶體更多用於手機。西安＆三星2012年1月韓國政府宣布批准三星電子在建設快閃記憶體晶元工廠，這一消息引發外界廣泛猜測，包括無錫、蘇州、北京、重慶等在內的眾多擁有半導體產業的城市及開發區紛紛向三星拋去了繡球。2012年3月出乎意料地，三星宣布最終選址西安，一期投資高達70億美元。4月10日，三星電子與陝西省、西安市、西安高新區分別簽署戰略合作框架協議，宣布該存儲晶元項目正式落戶西安高新區。2013年12月和2015年12月三星()半導體有限公司先後進行了兩次增資擴股，投資總額由2012年的70億美元增加到105億美元，註冊資本由23.3億美元增加到35億美元，增資部分將用於12英寸快閃記憶體晶元擴產。至此，三星西安快閃記憶體晶元項目一期投資突破百億美元大關。2014年5月改革開放以來國內電子信息行業最大外商投資項目——位於西安高新區的三星()半導體有限公司竣工。2015年4月，首條封裝測試生產線在西安高新區正式竣工量產。2017年5月三星電子透露，考慮擴大其製造基地的存儲器晶元產能。受制於韓國國內的不穩定因素，三星二期項目也受到了一定的影響。西安高新區曾兩次赴韓國和三星高層對接，7月13日韓國三星半導體公司法人任伯鈞前來高新區主動對接；7月17日西安高新再次赴韓國就項目儘快落地進行了溝通。雙方終於達成「在西安三星半導體工廠建設一條新生產線，擴大產能」的意見。★ 三星落戶五年成效 ★2012年，三星宣布落戶西安的那一年，西安進出口總額為130億美元，如今五年過去，這一數值已經達到了287億美元。然而這僅僅據三星半導體正式投產僅過去三年，這也僅僅是一期的產能。三星來之前，陝西的半導體產業年產值大約100多億元，2016年陝西省半導體產業產值超過了500億元。從國內的排名也從第八名一躍成為第四名，僅次於上海、北京和江蘇。據數據統計，截止今年年初，三星在西安的累計投資就已經超過了100億美元，算上新增加的第二期投資，三星在西安的累計投資估計超過了250億美元。西安三星城除此之外，三星的落戶還帶來了許多配套企業入駐，據統計目前已有美國空氣化工、日本住友、華訊微電子等100多家上下游配套企業入駐，從而降低成本提高工藝。★ 高新區綜合保稅區 ★西安高新綜合保稅區規劃面積3.64平方公里，於2012年9月22日被國務院正式批准設立，2013年9月18日通過由海關總署牽頭的國家10部委組成的聯合組驗收，2014年4月18日西安高新綜合保稅區封關運行。這裡將成為世界技術最先進的快閃記憶體晶元生產基地，將帶動西安加速形成1000億元以上年產值的世界電子信息產業新高地，正在為加快絲綢之路經濟帶橋頭堡建設的古都西安，增添強勁的發展"芯動力"。存續千年的絲綢之路，如今已煥發出全新生命力，朝著"矽谷之路"、"數碼之路"大踏步地前進。據了解，本次三星半導體二期再次花落西安，擬選址在西安市高新區綜合保稅區，將新增一條快閃記憶體晶元生產線，建成后預計產能規模為一期的2倍。預計陝西省、西安市近日將舉行三星二期項目簽約儀式。三星對於西安半導體廠的投資總共分為三期，第一期計劃投資70億美元（實際105億美元），第二期計劃投資100億美元，第三期計劃投資130億美元。