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Cree 出脫照明事業，電動車、5G 帶動利潤成長！ – 美股狙擊手

2021/12/25

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本文作者：投資旅行家－格列佛

簡單結論 :

Cree 在 SiC 領域擁有 IDM 的技術，目前在此領域的 Wafer 與功率元件市佔率第一。同時，也擁有 GaN 相關射頻的製程能力，但目前開發產品仍不多。預估未來 SiC 的 material 與 power market CAGR 能夠成長高達75% 以上，主要由電動車推動，而 GaN 的 CAGR 大約 25%，主要由 5G 推動。
Cree 在剝除獲利不好的 Lighting 之後，Wolfspeed (SiC 與 GaN 部門)營收在 2019 年有機會達到 41%。而三個部門中，Wolfspeed 的毛利率為 50%，遠高於(Lighting 20% / LEDs 25%)，獲利能力將持續改善。
今明年獲利預估分別為EPS 0.89與 1.45元。

簡介

Cree 在 1989 年推出第一款藍色 LED，並將 SiC 的技術運用在 LED 上，隨後成為 LED 市場的領導者，將產品技術提升到照明等級的 LEDs，另外也生產 SiC 的 power 以及 radio frequency (RF) semiconductors，是 SiC 的市場領導者與創新者。

產品擁有多項創新

1989 年推出第一顆商用藍光的 LEDs Chips。
2006 年推出第一個照明級的 LEDs 產品。
2011 年推出第一個 SiC MOSFET，成功達成 more efficient，decreasing size。
2014 年照明的 Lumens (衡量發光效率的單位)打破世界紀錄，達到 303 LPW。

2014 年子公司 WolfSpeeds，業界第一個開發出 1700V SiC half-bridge module，加強了 switching speed and energy efficiency，並應用在 solar、EV 及 industrial power supplies。

改變的開始 : 新CEO，勵精圖治

前任 CEO Chuck Swaboda 將事業重心放在照明事業的經營，而 Cree 當時進入照明事業主要是因為 LED 照明的滲透率還在初期，Cree 利用自身的技術將照明 LED 的技術推向市場，Cree lighting 很好的完成這項使命，也因此迎來高速增長期。在先前的 Presentation 當中，其大多都著重於介紹照明事業，針對功率和 RF 元件僅有簡略的介紹，可以看出當初的核心策略以及前任 CEO 對照明事業的情有獨鍾。

新任CEO : Gregg Lowe，Cree的轉型推手

https://www.cree.com/news-events/news/article/cree-names-gregg-lowe-as-ceo

若要說到 Cree 的改變，就是由這位靈魂推手 Gregg Lowe，帶領 Cree 從 lighting company 成功轉型為 power semi company。

Gregg Lowe 在 2017 年 9/25 正式上任 Cree 的 CEO，而 Gregg Lowe在半導體產業有相當資深的經歷：

From 2012 through 2015, he served as president and CEO of Freescale Semiconductor / automotive, industrial, consumer and communications markets.
Prior to that, he had a long career spanning 28 years at Texas Instruments, most recently serving as senior vice president and leader of the analog business.
於 2018 年的 Analyst day 發表轉型計畫 : 聚焦 Wolfspeed 在 SiC 以及 GaN 的成長，並改善公司的獲利體質，放棄沒有質量的成長。

營收分布: 剝除利潤差的Lighting部門，將資源挹注到Wolfspeeds

Cree 的營收分為三個部分 :

Wolfspeeds (41%)：Cree 最有價值的一個部門，擁有 SiC Discrete power 以及 GaN RF 的射頻氣件生產能力，營收從 2016 年佔比 11%，快速提升至 2019 年的 41%。
LEDs (40%)：主要生產 LEDs chips 以及 Component，產品應用於汽車、Video screen 及特殊照明方面。
Lighting (19%)：過去營收佔比最大的部門，但隨著市場技術成熟、中國廠商崛起、價格開始競爭，因此營收佔比從 55%一路下滑，最後 Cree 決定在今年三月將照明部門出售，預估 2019 年營收只會剩下 19%。
從產品的毛利率來看：Wolfspeeds 高達 50%，LEDs 部門大約 25%，Lighting 只有 20%左右。

Business prospect：在 Cree 未來的商業藍圖中，WS 的營收將從 2018 年的 3.82 億成長至 8.5億，要翻 2 倍之多，意即 CAGR 要達到 25%，而同時 WS 的獲利能力也是最好的部門，因此管理層的目標是將 OPM 提升到 20%。

Cree在SiC與GaN技術領域都擁有市場領導地位

Cree 將 SiC 拓展到 Wolfspeeds 部門中其他方面的應用，而 Cree 在 SiC 的功率元件已有近 30 年的發展歷史，1991 年首次推出 SiC 的商用晶圓，2011 年推出業界第一款 SiC MOSFET。

Wolfspeeds 在 SiC 市佔率第一，GaN RF 的市佔率第二名。

SiC與GaN將在未來大放異彩：由電動車與5G推動

SiC 在物理性質上的重要性：

高壓特性：SiC 是同等 Si 器件耐壓的 10 倍，碳化矽肖特基管耐壓可達 2400V，且通態電阻並不大。
高頻、高效特性：SiC 器件的工作頻率一般是 Si 器件的 10 倍。在 PFC 電路中，使用碳化矽可使電路工作在300kHz 以上，效率基本保持不變，而使用矽 FRD 的電路在 100kHz 以上的效率則急劇下降。
耐高溫、低損耗特性：碳化矽晶片可在 600℃ 的環境下運作，而一般的 Si 器件最多只能到 150℃。

因此，以 SiC 製程的 MOSFET 與 IGBT 具有 (1)耐高熱/耐高壓、(2)轉換效率更高/耗損較少、(3)電阻較低。根據 Infineon 估計，在體積縮小 50%的情況之下，效率仍優於矽製程產品 5%，Cree 也預估 SiC 產品可以縮小面積 30%，並減少 25%的 Losses。

Wolfspeeds旗下主要營運包含(1) SiC material、(2) SiC Power market、(3) GaN RF market。

SiC material

SiC material 提供多項產品銷售，包含 Substrate 及 EPI 等。

市佔率 : 機構估計，Cree 在 SiC material 的 Substrate market 有 40%以上市佔率，而在 merchant Substrate market(通路端)則有 50%以上市佔率，第二名為 IIVI，目前市面上具備量產能力的公司只有這兩家。
公司預估 TAM 的成長，從不到 56 million提升到 1.2 billion，同時意味著高達 85%的 CAGR。

(圖片來源：YOLE estimates)

SiC Power Market

Cree 除了 SiC Wafer 也生產 SiC 的功率元件，像是 MOSFETs、power modules，另外，他們還提供封裝服務，是一條龍的 IDM 廠商。
最大的成長還是來自 EV，TSLA 是第一個採用 MOSFET 的公司，取代了過去的 Si 的 IGBT。預估到 2022年，SiC 應用在 EV車的市場可以達到 2.4 billion，然而這只是 5%的滲透率，因此可見未來發展潛力極大。
除此之外，其產品也應用在太陽能與充電樁的 fast charging。
整體 TAM 從 280 million成長至 5 billion，使 CAGR 達 77%。

(圖片來源：YOLE estimates)

GaN RF market

Wolfspeed 提供 GaN Die、HEMT 及 MMIC等產品，應用在軍工以及電信方面，但整體來說， GaN 產品過去多使用在軍事方面，Cree 目前在 RF 的技術也主要仍是 LDMOS 的產品（用在 4G 方面），由此可知，現今GaN on SiC 的產品開發與應用還不普遍，有很大的發展空間。