Intel 3D XPoint快閃記憶體揭秘：20nm製程工藝

Intel、美光發布3D XPoint快閃記憶體已經一年多了，號稱性能、可靠性是NAND快閃記憶體的1000倍，容量密度是後者10倍，各種黑科技秒殺當前的快閃記憶體水平。從去年底開始有少量基於3D XPoint快閃記憶體的Optane硬碟問世，消費級容量是16/32GB，企業級有個375GB的DC P4800X系列，隨機性能確實很強大。

不過Intel迄今為止都沒有公布過3D XPoint快閃記憶體的技術內幕，好在現在可以確定一點了，那就是375GB的DC P4800X硬碟使用的是20nm工藝。

Intel當年發布3D XPoint快閃記憶體之後並沒有透露該技術的細節，只說它是不同於NAND快閃記憶體的新型存儲技術，性能、可靠性及密度全面領先當前NAND產品。Intel不公開技術內幕大概是為了保密，業界早前也在猜測3D XPpint快閃記憶體有可能是基於PCM相變技術的，也有說是ReRAM技術的，只是這些都無法證實。

現在Computerbase網站論壇有人爆料了DC P4800X硬碟的PCN通知書，裡面提到了它是基於20nm工藝的，只是Intel以往的PCN通知都是公開的，但這次需要授權用戶登錄才能看到，所以普通人也無法查閱具體細節了。

Intel使用20nm工藝製造3D XPoint快閃記憶體也不算意外，雖然在進入3D快閃記憶體之後廠商就很少公布具體的製程工藝了，大多時候只公布堆棧層數，不過大部分3D快閃記憶體使用的製程工藝都不會很先進，三星早期的V-NAND快閃記憶體使用的還是40nm工藝，幾年前的製程工藝了，聽上去落後，但實際上是好事，因為提升密度可以靠對堆棧層數，更「落後」的工藝往往有更好的可靠性。