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三星10nm旗艦晶元發布 性能提升27%

Exynos 8895採用10nm FinFET工藝,與14nm工藝相比,性能提升27%,功耗減少40%。

三星剛剛發布了其最新的旗艦級晶元Exynos 8895,這枚晶元將在即將到來的Galaxy S8上首發。Exynos 8895也就是之前盛傳的將命名為Exynos 9系的晶元。

Exynos 8895採用10nm FinFET工藝,與14nm工藝相比,性能提升27%,功耗減少40%。三星自主研發的第二代貓鼬核心(M2,四核)與四枚A53低功耗核心共同集成了Exynos 8895的CPU部分。GPU部分則為Mali-G71 MP20,擁有20枚核心,性能高達60%。

基帶方面,Exynos 8895與驍龍835相同,支持Cat.13/Cat.16標準,理論下載(5CA)速度提升到1Gbps,上傳(2CA)150Mbps。這枚新晶元內建雙ISP,攝像頭支持最高2800萬像素或者2800萬+1600萬像素雙攝鏡頭,支持4K 120fps回放。

內存支持LPDDR4X,存儲支持eMMC 5.1/UFS 2.1/SD 3.0。另外,原生的虹膜、指紋安全硬體區塊設計,導航兼容GPS\GLONASS和的北斗。



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