中科院突破存儲器技術難關 產業爆發這些是切入點

前不久，中科院微電子研究所與長江存儲共同承擔的存儲器研發工作有了新的突破，技術水平的提升，讓粗初期產業看到了新的希望。

其實近來國內廠商積極布局存儲器尤其是存儲晶元的研發，都獲得了不錯的成績。此外在政策的支持下，存儲器晶元技術水平日益提升，行業發展更是有望迎來拐點。

在這樣的背景下，上市公司紛紛在存儲器領域開展業務，細分領域的存儲器晶元更是為投資者看好。

在存儲器晶元領域，其實屬於起步較晚的。存儲器晶元是集成電路產業三大品類之一，目前在消費電子、固態存儲器、內存、智能終端等領域廣泛應用，存儲器晶元在晶元產業的比重就超過了25%，其國產化程度反映了國家在半導體領域的發展水平。

據前瞻產業研究院《存儲器行業發展前景與投資規劃分析報告》的分析，僅2014年存儲晶元的市場規模就已經超過2000億元，在國內集成電路市場份額中佔比更是達到了23%。但是這龐大市場需求，卻需要通過進口來滿足，每年進口的存儲晶元金額高達600億美元。尤其在DRAM與NAND Flash領域，更是存儲器晶元領域的短板。

總體來看，存儲晶元領域雖然取得了一些進展，但是總體看來仍舊是剛剛起步，NAND Flash與DRAM等細分領域的專利、核心技術仍舊為東芝、三星、Intel、SanDisk等海外廠商所掌握。

存儲器產業屬於一個需要長期投入的產業，因此國家設立集成電路產業投資基金就是想在統籌布局與合理規劃的基礎上，建立完善的產業生態，注重人才培養與核心技術開發，也只有這樣，才能把握住當下各類新興信息技術與存儲器產業深度融合所產生的市場機遇。

目前，已經有不少公司在存儲器領域發力，長江存儲更是通過與中科院聯手來開拓這一龐大市場。目前其研發的32層3D NAND Flash晶元順利通過了包括電學特性等各項指標測試，已經基本達到了預期要求，成功驗證了電子電路設計與工藝器件的整套技術。

在技術上取得突破之後，下一步存儲器領域將會迎來產業化發展的最好時機。

對於投資者而言，想要把握這一紅利，更是需要結合自身條件，從細分領域入手，將會更具保障。例如存儲器技術的提升，也會帶動封測產業以及材料設備的快速增長。

顯然，國產存儲器晶元將會在下一階段迎來巨大的發展機遇。眼下隨著技術、政策、人員、資金等各種條件的基本成熟，行業爆發的契機就在眼前。