扒一扒快閃記憶體的發明與發展，居然還有這樣的歷史

不管是手機、優盤還是你們此時此刻正在刷的朋友圈、頭條、微博的伺服器，都離不開快閃記憶體存儲。

大家都知道快閃記憶體盤（優盤）是企業發明的，而鮮有人知的是快閃記憶體卻是由在東芝公司工作的FujioMasuoka首先提出，這位淡泊名利的老先生還是日本東北大學的教授。

自1992年第一座工廠拔地而起、1995年第二工廠、2004年第三工廠、2007年第四工廠、2011年第五工廠，東芝一直將快閃記憶體製造放在日本四日市進行。

早在2007東芝就首次提出了3D快閃記憶體方向，儘管首先將其推向市場的是三星，這並不妨礙東芝在快閃記憶體技術研究中的領先：今年6月東芝率先宣布了96層3D快閃記憶體技術。

結合96層堆疊以及同樣由東芝率先提出的QLC技術，2年內單個快閃記憶體晶元容量將達到創紀錄的768Gb，如果使用16Die封裝，單個快閃記憶體顆粒可提供1.5TB存儲容量。還停留在單碟1T水平的機械硬碟們該顫抖了。

現在東芝共有2個工廠正在生產3D快閃記憶體，分別是2016年落成的Fab 2新廠區與2011年落成並經過技術改造的Fab 5。

而更新的Fab 6工廠已經在建設當中，預計明年夏天完成第一階段施工，屆時將以3D快閃記憶體作為唯一產品。東芝計劃將未來3D快閃記憶體所佔比重提升到90%以上。

三星最早將3D快閃記憶體應用到固態硬碟當中，並以V-NAND的商品名命名自己的3D快閃記憶體產品。東芝的3D快閃記憶體其實也早已問世，只是主要提供給蘋果製造iPhone和iPad。東芝也為自家的3D快閃記憶體註冊了BiCS商標。至於另外一家快閃記憶體原廠的IMFT（Intel與美光合資），他們的3DXPoint其實是另外一種技術，和3D快閃記憶體反而沒有什麼關係。

固態硬碟界一直有一個笑談：三星負責做宣傳，美光負責攤大餅。三星來自面子功夫厲害的韓國，因為肯在宣傳上下大本錢，三星的產品往往是用戶最為耳熟能詳的同時也是最貴的。美光來自工業強國美國，善於拉低價位攤大餅但性能和售後居於快閃記憶體三大家中的末位。東芝來自日本，自身帶有執著的匠人精神，卻和其他索尼等日企一樣只依靠冬粉傳播口碑。

東芝經常把最先進的技術用到非零售產品中，這使得他們往往不會第一時間被消費者所熟知，就像用在iPhone里的東芝3D快閃記憶體一樣默默共享強大性能。在新一代64層3D快閃記憶體上，東芝依然選擇了OEM型號XG5 NVMe固態硬碟首發，未來大家會在一些頂配筆記本電腦當中見到他的身影。

不過好消息是東芝的消費級固態硬碟中應該也會很快應用上3D快閃記憶體，我們熟悉的超高性價比MLC固態——東芝Q200就是在OEM型號上修改而來，而OEM型號SG6已經確認開始出貨3D快閃記憶體版本了。