三星快閃記憶體業務最新動向 一系列戰略產品即將面世

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【IT168 編譯】在2017快閃記憶體峰會的三星科技日上，三星公司發布了一系列新產品和新舉措。這些產品包括世界上最大的SSD(128 TB)——使用其第五代V-NAND晶元，到一個新的小型SSD，再到其Z-NAND產品，它與高性能存儲類內存和一個鍵值SSD相關。三星表示，「這些解決方案將活躍在解決目前最重要的數據密集型任務的最前線，如高性能計算、機器學習、實時分析和并行計算等。」

三星最新的V-NAND晶元是一款1Tb的V-NAND晶元，預計將於明年上市。明年1Tb的V-NAND快閃記憶體晶元的問世將使單個V-NAND快閃記憶體晶元的內存達到2TB，這將是內存產業過去十年中最重要的進步之一。該公司使用的32模組1 Tb QLC展示了一個2.5英寸的「128 TB固態硬碟」。

三星也在對該行業的第一個16 TB NGSFF SSD進行採樣，這是為了極大地提高目前1U機架伺服器的存儲容量和IOPS(每秒輸入/輸出操作)。三星NGSFF固態硬碟的尺寸為30.5mmx 110mm x 4.38mm，提供了超大規模的數據中心伺服器，大大改善了空間利用率和可伸縮性選項。三星將在今年第四季度開始大規模生產這些固態硬碟。

在1U伺服器中利用新的NGSFF驅動代替M.2可以增加系統四倍的存儲容量。為了突出優點，三星演示了一種參考伺服器系統，該系統在1U機架中提供了576TB容量，使用NGSFF SSD則達到3616 TB。1U的參考系統可以處理大約1000萬隨機讀取IOPS，這將使一台配備2.5英寸SSD的1U伺服器的IOPS性能達到三倍。僅使用576TB系統中的兩個就可以實現1 PB的容量。

三星在2016年推出了其Z-SSD技術。在2017年，該公司發布了其首款產品，即SZ98 Z-SSD。Z-SSD的目標是數據中心和企業系統，這些系統處理的是非常大的數據密集型任務，比如實時「大數據」分析和高性能伺服器緩存。三星表示，它正在與幾位客戶合作，在即將推出的應用中集成Z-SSD。該產品將有15微秒的讀取延遲，這大約是NVMe SSD讀取延遲的七分之一。三星表示，在應用程序層面上，三星的Z-SSD的使用可以將系統的響應時間減少12倍，與使用NVMe ssd相比。

三星引入了一種名為「鍵值SSD」的存儲架構。該名稱指的是在存儲中組織數據的一種方式，以便在對象存儲系統中進行更快速的訪問。三星表示，目前，SSD將各種不同大小的對象數據轉換成特定大小的數據片段，稱為「塊」。這些塊的使用需要包含LBA(邏輯塊定址)和PBA(物理塊定址)步驟的實現過程。

不過，三星的新鍵值SSD技術允許SSD在無需將其轉換為塊的情況下處理數據。相反，三星的鍵值SSD技術是為每個「值」或對象數據分配一個「關鍵」或特定位置，而不管它的大小。該密鑰支持對數據位置進行直接定址，從而使存儲可以進行伸縮。三星的鍵值技術使SSD能夠在性能和容量上擴大(垂直)和擴展(水平)。因此，當數據被讀取或寫入時，一個鍵值SSD可以減少冗餘的步驟，這將帶來更快的數據輸入和輸出，同時增加TCO並顯著延長SSD的壽命。

三星公布了他們的V-NAND發展藍圖，表明他們至少會發布5代V-NAND產品。這些一代又一代的高容量產品將利用三種技術發展。這些包括持續的垂直堆疊(更多的3D層)，橫向收縮(更小的特徵)和儲存格的外圍(在支持的CMOS邏輯之上建立儲存格層)。

此外，三星還指出，該公司計劃在2018年之前將STT MRAM的產品樣本發貨。三星在新的3D快閃記憶體製造設備上進行了大量投資，並繼續成為新快閃記憶體產品和出貨量的領導者。