我國發展半導體的關鍵材料被攥在外方手中

半導體材料是半導體產業的重要原材料，位於半導體產業鏈的上游，是製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件的重要基礎材料，支撐著通信、計算機、信息家電與網路技術等電子信息產業的發展。

據拓墣產業研究所統計，2016年大陸半導體材料市場全球份額首次超過北美，佔比從2015年的14.01%上升到2016年的14.74%，緊逼日本，暫排全球第四。然而本土半導體材料廠商僅能滿足約20%的需求，且真正用在分立器件和集成電路等高端領域的材料並不多。

在半導體材料中，大矽片的佔比最高，達到32%的水平，掩膜版、電子氣體、 CMP 材料、光刻膠合計佔比近 70%，是影響半導體製造流程中最主要的材料。而佔比最高的幾大類都是海外寡頭壟斷。

大矽片——半導體主要材料之一

6英寸矽片國產化率為50%，8英寸矽片國產化率為10%，12英寸矽片完全依賴於進口。

各種尺寸的大矽片主要由日本廠商壟斷，包括市場份額第一、第二的日本信越、日本SUMCO。其他企業則包括德國Siltronic、美國MEMC/SunEdison、韓國LG Siltron和台灣SAS（中美矽晶）。這6家企業所掌控的份額高達95%。

光掩模——半導體主要材料之二

Photronics、日本印刷株式會社DNP和日本凸版印刷株式會社Toppan三家佔據80%以上的市場份額。

尤其是掩膜版行業所需要的核心設備光刻機目前仍然是進口為主，並且高度壟斷，單價一般超過1000萬元，高端設備甚至超過1億元，並且交貨周期較長，限制了行業的發展。

電子氣體——半導體主要材料之三

全球電子材料市場規模約50億美元，其中電子氣體約佔電子材料總成本約5%，大陸電子氣體市場規模每年約4.5億美元，但國內半導體行業使用的高純電子特殊氣體幾乎全部依賴進口。

光刻膠——半導體主要材料之四

全球半導體光刻膠的核心技術基本掌握在美國和日本手中。

國內集成電路光刻膠主要以紫外光刻膠為主，而這種技術主要掌握在美國、歐洲、日本手中，國內自給率為10%左右，並且只有北京科華一家能夠生產。

目前需求量日益增加的超大規模集成電路用深紫外248nm KrF 和193nmArF，也基本上都被美國、歐洲、日本等掌握，幾乎全部進口。

深紫外248nm KrF，國內只有北京華科一家通過中芯國際認證，其他企業都處於研發階段；深紫外193nmArF也僅有北京科華立項。

國內從事光刻膠和配套化學產品研究、開發、生產的廠商非常少。

一方面是由於高端光刻膠樹脂合成及光敏劑合成技術與海外相比有一定差距；

另一方面，高端光刻膠的研究需要價格較高的曝光機和檢測設備，小企業無法承受。

此外，由於光刻膠所應用的電子行業與軍工關係密切，導致國外對高端技術封鎖。

紫外正性光刻膠（ g/i 線）產業分佈

深紫外光刻膠（ 248nm+193nm ）產業分佈

CMP拋光——半導體主要材料之五

CMP拋光材料主要包括拋光墊和拋光液兩種。

國際主流拋光墊廠家有陶氏、卡博特、日本東麗、台灣三方化學、3M等，其中陶氏在拋光墊市場佔有率高達90%。國內僅鼎龍股份實現投產。而全球拋光液市場集中在卡博特、杜邦、 Fujimi 等廠商中。

半導體材料行業具有產品驗證周期長、寡頭壟斷等特點，為促進國產半導體材料發展，我們需建立完善的半導體材料體系，加快發展核心材料研發，實現國產化替代。